ZnOAlNSi111薄膜的外延生长和性能研究.docVIP

光学学 报第 26 卷 第 3 期 2006 年 3 月Vol . 26 ,No . 3 光 学 学 报 第 26 卷 第 3 期 2006 年 3 月 Vol . 26 ,No . 3 A C TA O P T ICA S IN ICA Ma rch , 2006 文章编号 : 025322239 (2006) 032046324 Zn O /A l N /S i ( 111) 薄膜的外延生长和性能研究 3 郑畅达 王 立 方文卿 蒲 勇 戴江南 江风益 3 3 (南昌大学材料科学研究所教育部发光材料与器件工程研究中心 , 南昌 330047) 摘要 : 用常压金属化学气 相沉积法 ( MOCVD) 在 Si ( 111 ) 衬底 上制备了马赛克结构 ZnO 单晶薄膜 。引 入低温 Al N 缓冲层以阻止衬底氧化 、缓解热失配和晶格失配 。薄膜 双晶 X 射线衍 射 2θ/ ω联动扫描只出现了 Si ( 111) 、 ZnO ( 000 l) 及 AlN ( 000 l) 的衍射峰 。ZnO/ Al N/ Si (111) 薄膜 C 方向晶格常量为 0 . 5195 nm ,表明在面方向处于张 应力状态 ;其对称 (0002) 面和斜对称 (1012) 面的双晶 X 射线衍 ω摇摆曲线半峰全宽分别为 460″和 1105″;干涉显微 镜观察其表面有微裂纹 ,裂纹密度为 20 cm - 1 ;3 μm ×3 μm 范围的原子力显微镜均方根粗糙度为 1 . 5 nm ; 激光实 时监测曲线表明薄膜为准二维生长 ,生长速率 4 . 3μm/ h 。低温 10 K 光致发光光谱观察到了薄膜的自由激子 、束缚 激子发射及它们的声子伴线 。所有结果表明 ,采用金属化学气相沉积法并引入 AlN 为缓冲层能有效提高 Si ( 111) 衬底上 ZnO 薄膜的质量 。 关键词 : 薄膜光学 ; ZnO/ AlN/ Si 薄膜生长 ; 常压金属化学气相沉积法 ; 在线监测 ; 结构性能 ; 光致发光 中图分类号 : O484 . 1 文献标识码 : A T h e G r o w t h a n d P r op e r t i e s of Zn O F i l m G r o w n o n S i ( 111) S u bs t r a t e w i t h A l N B u f f e r b y M O CV D Zhe ng Changda Wang Li Fang We nqi ng Pu Yong Dai J ia ngna n J ia ng Fe ngyi ( I ns t i t u t e f o r M a t e r i a l Scie n ce Rese a r c h , N a n c h a n g U n i ve r s i t y , E n gi n ee r i n g Rese a r c h Ce n t e r f o r L u m i nes ce n ce M a t e r i a l s a n d Devi ces of Ed u c a t i o n Mi n i s t r y , N a n c h a n g 330047) A bs t r a c t : Monoc r ys t alli ne ZnO f il ms wi t h a t mosp he ric2p r ess u r e me t al2or ga nic c he mical mos aic s t r uc t u r e a r e s uccessf ull y g r ow n on Si ( 111 ) s ubs t r at e by vap or dep osi tion ( MOCVD ) . L ow2t e mp e r at ur e AlN buff e r la ye r is i nt r oduce d be t w e e n t he f il ms a nd s ubs t r a t e t o p r ot e ct t he s ubs t r a t e f r om bei n g oxi dize d a nd eli mi na t e t he t he r mal a nd c r ys t als la t tice mis ma t c h . Onl y app e a r diff r ac tion p e a ks of Si ( 111) pla ne ,