功率芯片低空洞率真空共晶焊接工艺研究.pdfVIP

D0l：10．3969／j．issn．1001—8972．2013．08．∞6 基毫米波功率芯片最高耐受温度一般为 功率芯片低空洞率真空共晶焊接工艺研究 290℃～300℃，因此可选的最高焊接温度一 贾耀平 间尽量短。 中国西南电子技术研究所，四川成都610056 StudiesofLOw Vac叫mEutectic ProcessofthePower 熔融状态时间：熔融时间及最高焊接 Voidage WeIding Chip Jia 温度直接决定了焊料在焊接过程中与被焊接 Yaoping SOUthwestChinalnstitute0fElectronic 61 面反应生成金属间化合物(IMC)的厚度， Technology，Chengdu0056，China 最高焊接温度越高，熔融时间越长，IMc越 厚；而IMC厚度与焊点剪切强度密切相关， 摘要 此大功率芯片与基体(基板)的连接必须要 IMC厚度在合适范围内时剪切强度较大，且 在功率混合电路中，对功率芯片的组装要求 有十分好的微波接地能力(低欧姆接触)和 随厚度改变变化不大，一旦IMC厚度超过该 热阻小和可靠性高。在这方面传统的芯片组 较好的散热能力，选用合金焊料焊接较为合 合理范围则剪切强度会急剧下降t因此可通 装方法如导电银浆粘接不能满足要求。本文 适。对电阻要求高的二极管，晶体管以及任 过不同熔融时间下焊接的剪切强度来确定合 介绍了一种新的功率芯片组装工艺一一真空 何无钝化、对污染十分敏感的器件都应使用 适的IMC厚度范围及熔融状态时间范围。 共晶焊接工艺，文章选用Au80sn20焊料对金锡共晶焊片。 熔融状态时真空度：为降低氧化及因残 毫米波Ga^s功率芯片的焊接工艺进行了较 留气体造成的空洞缺陷，可在焊接过程进行 为系统深入的研究，对焊接时气体保护、焊 1夹具设计 抽真空处理，但全工艺过程真空环境会降低 片大小、焊接压力、真空工艺过程的施加和 目前广泛使用的毫米波功率芯片(裸芯 加热速率，造成工艺过程时间长，温度不宜 夹具设计等因素进行了试验分析，并实现较 片)一般为GaAs基材，尺寸较小，重量较 控制，为此可采取全过程高纯氮环境，熔融 高的焊接质量，x射线检测结果表明，GaAs 轻，焊接时很容易出现焊料的表面张力将芯 阶段达到最高焊接温度后进行抽真空处理， 功率芯片焊接具有较低的空洞率，焊透率高 片“浮起”，焊料向芯片中间收缩，使芯片 也可达到相同的效果，减少空洞的产生。