霍尔效应测量半导体特性参数中副效应的消除方法.doc

霍尔效应测量半导体特性参数中副效应的消除方法 第1O卷第6期 2010年l2月 潍坊学院 JournalofWeifangUniversity Vo1.10No.6 NOV.2010 霍尔效应测量半导体特性参数中副效应的消除方法 杨 (潍坊学院,山东 .’士 潍坊261061) 摘要:简述了霍尔效应的基本原理,分析了利用霍尔效应测量半导体特性参数中影响结果的重要副 效应,给出了减小或消除这些副效应的方法,并设计出测试电路. 关键词:霍尔效应;副效应;半导体测量 中图分类号:04～34文献标识码:A文章编号:1671～4288(2010)06—0032—03 根据霍尔效应制成的霍尔器件,既可以检测磁场,也可以检测电流,还可以检测位移,振动以及其它只 要能转换成位移量变化的非电量的物理量.在自动检测,自动控制和信息技术等方面得到了广泛地应用. 霍尔效应原来是在金属中发现的,但在半导体中这个效应更为显着,而且能对于半导体的分析提供特别重 要的依据.微电子学实验中利用霍尔效应可以非常方便的确定半导体的导电类型,测量出霍尔系数,载流 子浓度,迁移率,电导率等重要的半导体材料的特性参数.但在实验测量中测量精度会受到各种副效应的 影响,那么如何减小或消除这些副效应的影响就显得非常重要. 1半导体材料的霍尔效应 在均匀强磁场B中放人一块板状金属导体,并与磁场B方 向垂直(图1),在金属板中沿与磁场B垂直的方向通以电流I的 时候,在金属板上下表面之问会出现横向电势差H,这种现象称 ‘ 为霍尔效应,电势差称为霍尔电势差(霍尔电压).霍尔电势 差V大小与磁感应强度B和电流强度I的大小都成正比,而与 金属板的厚度d成反比,即V一RIB/d.式中R仅与导体材 料有关,称为霍尔系数.图1霍尔效应原理图 霍尔效应在半导体中更为显着,而且能对半导体的分析提供 特别重要的依据.霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子(如电子)在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏 转,这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积,形成横向霍尔电场,从而可以测量 到霍尔电压. ab 图2半导体霍尔效应示意图(n:N型半导体,b:P型半导体) 如图2所示,设半导体试样的长为l,宽为b,厚度为d,载流子浓度为n. *收稿日期:2010—06—24 作者简介:杨洁(1972一),女,山东临胸人,潍坊学院教育科学与传媒工程学院实验师. 一 32一一 r 第6期杨洁:霍尔效应测量半导体特性参数中副效应的消除方法 则有:V一Eb一』B/P—Rb/d,即霍尔电压V(A,A电极之间的电压)与JsB乘积成正比,与 试样厚度d成反比.比例系数R一1/ne称为霍尔系数. 2霍尔电压测量中的重要副效应 利用霍尔效应可以非常方便的确定半导体的导电类型,测量出霍尔系数,载流子浓度,迁移率,电导率 等重要的半导体材料的特性参数,但在实验测量中测量精度会受到各种副效应的影响. 2.1不等势电压. 由于测量霍尔电压的电极A和A位置难以做到在一个理想的等势面上,因此当有电流J通过时,即 使不加磁场也会产生附加的电压V.一Isr,其中r为A,A所在的两个等势面之间的电阻(如图3所示). 不等位电压产生的原因主要有工艺误差如电极定位误差,杂质扩散不均匀引起的误差,外界机械压力通过 压阻效应造成的偏差等. 2.2爱廷豪森效应 从微观来看,当霍耳电压达到一个稳定值H时,速度为的载流子 的运动达到动态平衡.但载流子速度服从统计分布,有快有慢,达到动态 平衡时,在洛仑兹力和霍耳电场的共同作用下,速度大的载流子所受的洛 仑兹力大于电场力,而速度小的载流子所受的洛仑兹力小于电场力,因而 速度大的载流子会聚集在半导体材料的一侧,而速度小的载流子聚集在 另一侧,又因速度大的载流子的能量大,所以速度大的粒子聚集的一侧温图3不等位电压V.示意图 度高于另一侧.由于测量电极和半导体两者材料不同,电极和半导体之间形成温差电偶,这一温差产生温 差电动势,这种由于温差而产生电势差的现象称为爱廷豪森效应.如图4所示.V的大小和正负号 与,B的大小和方向有关,跟与,B的关系相同,所以不能在测量中消除. 2.3能斯托效应 在半导体试样上引出测量电极时,不可能做到接触电阻完全相 同.当工作电流J通过不同接触电阻时会产生不同的焦耳热,并因 温差产生一个温差电动势,此电动势又产生温差电流Q(称为热电 流),热电流在磁场的作用下将发生偏转,结果产生附加电势差, 这就是能斯脱效应.它与电流_『s无关,与磁场B有关. 2.4里纪一勒杜克效应 图4爱廷豪森效应 由能斯脱效应产生的热电流也有爱廷豪森效应,由此而产生附加电势差,厂,称为里纪一勒杜克效应. 与J无关,只与磁场B有关. 在利用霍尔效应测量半导体特性参数时,以上四种现象都是存在的,其中能斯托效应和里纪一勒杜