不同晶向GaSb晶片表面化学组分及形貌分析_程雨.pdfVIP

ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ Ｖｏｌ．３６Ｎｏ．６ Ｄｅｃ．２０１５ 　 　  、 材料 结构及工艺 不同晶向ＧａＳｂ晶片表面化学组分及形貌分析 ， ， ， ， ， ， 程 雨 刘京明 刘 彤 苏 杰 杨凤云 董志远 赵有文 　 　 　 （ ， ） 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室 北京 １０００８３ ： 摘 要 对相同条件下制备的不同晶向的锑化镓抛光晶片表面化学组分进行了ＸＰＳ测试比 　 　 ， （ ） ， ； （ ） 较 结果表明 １１０ＧａＳｂ晶片表面的氧化程度最为严重 表面极为粗糙 有极性的 １１１ ＧａＳｂ晶面 — ， ， 。 由于 价键存在于衬底内部 反而氧化程度较低 表面较光滑 分析比较了 晶面表面 Ｇａ Ｓｂ ＧａＳｂ 化学组分与形貌的关系。 ： ； ； ； 关键词 锑化镓 ＸＰＳ 表面氧化 表面形貌 　 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） ＴＮ ３０４．２ Ａ １００１－５８６８２０１５０６－０９２２－０３ 　 　 　 ＡｎａｌｓｉｓｏｎＣｈｅｍｉｃａｌＣｏｎｓｔｉｔｕｅｎｔｓａｎｄＳｕｒｆａｃｅＭｏｒ ｈｏｌｏ ｏｆｔｈｅＧａｌｌｉｕｍ ｙ 　 　 　 　 　 　 ｐ ｇｙ 　 　 　 ＡｔｉｍｏｎｉｄｅＷａｆｅｒｓｗｉｔｈＤｉｆｆｅｒｅｎｔＣｒｓｔａｌＯｒｉｅｎｔａｔｉｏｎｓ 　 　 　 　 ｙ 　 ， ， ， ， ， ， ＣＨＥＮＧ Ｙｕ ＬＩＵ Ｊｉｎ ｍｉｎ ＬＩＵ Ｔｏｎ ＳＵＪｉｅ ＹＡＮＧ Ｆｅｎ ｕｎ ＤＯＮＧ Ｚｈｉｕａｎ ＺＨＡＯＹｏｕｗｅｎ 　 　 ｇ ｇ 　 ｇ 　 　 ｇｙ 　 ｙ 　 （ ， ， ， ， ） Ｋｅ Ｌａｂ．ｏｆＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅ ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍ ｏｆＳｃｉｅｎｃｅ Ｂｅｉｉｎ １０００８３ ＣＨＮ ｙ 　 　 　 　 　 　 ｙ 　 ｊ ｇ