不同栅压应力下1.8V pMOS热载流子退化机理研究.pdfVIP

第２期 电　　子　　学　　报 Ｖｏｌ．４４　Ｎｏ．２ ２０１６年２月 ＡＣＴＡＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＡＳＩＮＩＣＡ Ｆｅｂ．　２０１６ 不同栅压应力下 １８ＶｐＭＯＳ热载 流子退化机理研究 １ １ １ １ ２ ２ ２ ２ ２ 刘斯扬 ，于朝辉 ，张春伟 ，孙伟锋 ，苏　巍 ，张爱军 ，刘玉伟 ，吴世利 ，何骁伟 （１东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心，江苏南京２１００９６；２华润上华半导体有限公司，江苏无锡２１４０００） 　　摘　要：　本文详细研究了不同栅压应力下１８ＶｐＭＯＳ器件的热载流子退化机理．研究结果表明，随着栅压应力 增加，电子注入机制逐渐转化为空穴注入机制，使得ｐＭＯＳ漏极饱和电流（Ｉ ）、漏极线性电流（Ｉ ）及阈值电压（Ｖ） ｄｓａｔ ｄｌｉｎ ｔｈ 等性能参数退化量逐渐增加，但在Ｖ ＝９０％ Ｖ时，因为没有载流子注入栅氧层，使得退化趋势出现转折．此外，研究  ｇｓ ｄｓ 还发现，界面态位于耗尽区时对空穴迁移率的影响小于其位于非耗尽区时的影响，致使正向Ｉ 退化小于反向Ｉ 退 ｄｓａｔ ｄｓａｔ 化，然而，正反向Ｉ 退化却相同，这是因为Ｉ 状态下器件整个沟道区均处于非耗尽状态． ｄｌｉｎ ｄｌｉｎ 关键词：　热载流子；不同栅压应力；正反向退化 中图分类号：　ＴＮ３８６１　　　文献标识码：　Ａ　　　文章编号：　０３７２２１１２（２０１６）０２０３４８０５ 电子学报ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｅｊｏｕｒｎａｌ．ｏｒｇ．ｃｎ　 ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．０３７２２１１２．２０１６．０２．０１５ ＩｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｏｎｔｈｅＨｏｔＣａｒｒｉｅｒＩｎｄｕｃｅｄＤｅｇｒａｄａｔｉｏｎｆｏｒ１８ＶｐＭＯＳ ＵｎｄｅｒＤｉｆｆｅｒｅｎｔＧａｔｅＶｏｌｔａｇｅＳｔｒｅｓｓｅｓ １ １ １ １ ２ ＬＩＵＳｉｙａｎｇ，ＹＵＣｈａｏｈｕｉ，ＺＨＡＮＧＣｈｕｎｗｅｉ，ＳＵＮＷｅｉｆｅｎｇ，ＳＵＷｅｉ， ２ ２ ２ ２ ＺＨＡＮＧＡｉｊｕｎ，ＬＩＵＹｕｗｅｉ，ＷＵＳｈｉｌｉ，ＨＥＸｉａｏｗｅｉ （１ＮａｔｉｏｎａｌＡＳＩＣＳｙｓｔｅｍＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＲｅｓｅａｒｃｈＣｅｎｔｅｒ，ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ，Ｊｉａｎｇｓｕ２１００９６，Ｃｈｉｎａ； ２ＣＳＭＣＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ，