CMOS反相器低频噪声模型及可靠性表征研究.pdfVIP

第１１期 电　　子　　学　　报 Ｖｏｌ．４４　Ｎｏ．１１ ２０１６年１１月 ＡＣＴＡＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＡＳＩＮＩＣＡ Ｎｏｖ．　２０１６ ＣＭＯＳ反相器低频噪声模型及可靠性表征研究 １ ２ ３ 陈晓娟 ，陈东阳 ，吴　洁 （１．长春理工大学电子信息工程学院，吉林长春 １３００２２；２．东北电力大学信息工程学院吉林吉林 １３２０１２； ３．北华大学电气信息工程学院吉林吉林 １３２０１３） 　　摘　要：　为了表征ＣＭＯＳ反相器的可靠性，从其负载电流和输出电压的特性入手，详细推导了一种基于载流子 波动理论的低频噪声模型，并由实验数据验证了模型的准确性．由实验结果可知，负载电流功率谱密度随频率的增加 而减小，遵循１／ｆ噪声的变化规律；得到了负载电流归一化噪声功率谱密度与器件尺寸的关系．通过深入研究１／ｆ噪声 与界面态陷阱密度的关系，验证了１／ｆ噪声可用于表征ＣＭＯＳ反相器的可靠性，证明了噪声幅值越大，器件可靠性越 差，失效率显著增大，为评价ＣＭＯＳ反相器的靠性提供了一种可行及有效的方法． 关键词：　ＣＯＭＳ反相器；低频噪声；可靠性；缺陷 中图分类号：　ＴＮ９４　　　文献标识码：　Ａ　　　文章编号：　０３７２２１１２（２０１６）１１２６４６０７ 电子学报ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｅｊｏｕｒｎａｌ．ｏｒｇ．ｃｎ　 ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．０３７２２１１２．２０１６．１１．０１２ ＩｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｏｎＬｏｗＦｒｅｑｕｅｎｃｙＮｏｉｓｅＭｏｄｅｌｓａｎｄ ＲｅｐｒｅｓｅｎｔａｔｉｏｎｆｏｒＲｅｌｉａｂｉｌｉｔｙｏｆＣＭＯＳＩｎｖｅｒｔｅｒ １ ２ ３ ＣＨＥＮＸｉａｏｊｕａｎ，ＣＨＥＮＤｏｎｇｙａｎｇ，ＷＵＪｉｅ （１．ＳｃｈｏｏｌｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＣｈａｎｇｃｈｕｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｃｈａｎｇｃｈｕｎ，Ｊｉｌｉｎ１３００２２，Ｃｈｉｎａ； ２．ＳｃｈｏｏｌｏｆＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＮｏｒｔｈｅａｓｔＤｉａｎｌｉＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｊｉｌｉｎ，Ｊｉｌｉｎ１３２０１２，Ｃｈｉｎａ； ３．ＳｃｈｏｏｌｏｆＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＢｅｉｈｕａＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｊｉｌｉｎ，Ｊｉｌｉｎ１３２０１３，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：　ＩｎｏｒｄｅｒｔｏｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚｅｔｈｅｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙｏｆＣＭＯＳｉｎｖｅｒｔｅｒ，ａｋｉｎｄｏｆｌｏｗｆｒｅｑｕｅｎｃｙｎｏｉｓｅｍｏｄｅｌｉｓｄｅｄｕｃｅｄｉｎ ｄｅｔａｉｌｂｙｕｓｉｎｇｔｈｅｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆｌｏａｄｃｕｒｒｅｎｔａｎｄｏｕｔｐｕｔｖｏｌｔａｇｅ，ｂａｓｅｄｏｎｔｈｅｃａｒｒｉｅｒｆｌｕｃｔｕａｔｉｏｎｔｈｅｏｒｙ，ａｎｄｔｈｅａｃｃｕｒａｃｙ ｏｆｔｈｅｍｏｄｅｌｗａｓｖｅｒｉｆｉｅｄｂｙｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌｄａｔａ．Ｔｈｅｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｒｅｓｕｌｔｓｉｎｄｉｃａｔｅｔｈａｔｌｏａｄｃｕｒｒｅｎｔｐｏｗｅｒｓｐｅｃｔｒａｌｆｏｌｌｏｗｓｔｈｅ ｃｈａｎｇｉｎｇｒｕｌｅｏｆｔｈｅ１／ｆｎｏｉｓｅ，ｄｅｃｒｅａｓｉｎｇｗｉｔｈｔｈｅｉｎｃｒｅａｓｅｏｆｆｒｅｑｕｅｎｃｙ；ｔｈｅｎｏｒｍａｌｉｚｅｄｎｏｉｓｅｐｏｗｅｒｓｐｅｃｔｒａｌｄｅｎｓｉｔｙｏｆｌｏａｄ ｃｕｒｒｅｎｔｄｅｃｒｅａｓｅｓｗｉｔｈｔｈｅ