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量子线 、量子点和它们的激光器 3夏 建 白( 中国科学院半导体研究所 ,北京 100083)摘 要介绍了半导体量子 量子线 、量子点和它们的激光器 3 夏 建 白 ( 中国科学院半导体研究所 ,北京 100083) 摘 要 介绍了半导体量子线 、量子点的自组织生长法和掩膜表面选择局部生长法 ,讨论了量子 线 、量子点激光器的优点以及遇到的问题 ,指出了大小均匀性是实现量子线 、量子点激光器的主要障碍 . 关键词 半导体 ,量子线 ,量子点 ,激光器 QUA NTUM WIRES , QUA NTUM DOTS A ND THEIR L ASERS Xia J ianbai ( I nst it ute of Sem icon d uctors , T he Chi nese A cadem y of S ciences , Beiji ng 100083) Abstract The met hods of self - organized growt h and selective growt h o n a pat terned mask for semico nductor quant um wires and quant um dot s are described. The advantages and p roblems inherent in quant um wire and dot lasers are discussed , and it is indicated t hat t he size fluct uatio n is t he main ob2 stacle for realizing quant um wire and dot lasers. Key words semico nductor , quant um wire , quant um dot , laser 1975 年 ,世界第一只量子阱激光器由人们 采用分子束外延技术制造出来1 . 1982 年 ,贝 耳实验室制出了阈值电流达 0125 kA/ cm2 的量 子阱激光器2 . 现在 ,量子阱激光器已经达到 阈 值 电 流 012 mA 、带 宽 30 GHz 和 谱 线 宽 度 20 k Hz ,这确定了量子阱激光器的优异的性能 . 另一方面 ,早在 1982 年 ,人们就提出了量 子线和量子点激光器的概念3 ,并在理论上预 言 : 由于量子线和量子点比量子阱有更大的量 子限制效应 ,它的阈值电流将更低 ,与温度的关 系将进一步减弱. 由于量子线 、量子点制造技 术的困难 ,直至 1989 年才陆续有一些关于量子 线 、量子点的实验报道 . 用分子束外延技术制 造量子阱 、超晶格是很成功的 ,而量子线 、量子 点直至现在还没有一个理想的制造方法 . 最早 是采用在量子阱上再刻蚀的方法4 ,但该方法 会在量子线或量子点表面产生许多表面缺陷. 因此后来就采用分子束外延技术在各种自然表 面上直接生长的方法 ,如在小偏角表面 ( vicinal surf ace) 5 、超台阶 ( superstep s) 面6 、高指数表 面7 等 . 或者在一些由人工作出图形的衬底上 生长 , 如 V 形 槽8 、解 理 异 质 结 构 的 侧 面 生 长9 、在 掩 膜 ( mask ) 表 面 上 选 择 局 部 生 长10 ,11 、自组 织 生 长 法12 等 . 本 文 将 主 要 介 绍最后这两种方法. 自组织生长量子点 1 自组织生长方法仍利用分子束外延设备 , 生长两 种 晶 格 常 数 相 差 比 较 大 的 材 料 , 例 如 : InAs/ GaAs 或者 Si/ Ge 系统. 对于晶格常数相 差比较小的材料 (Δa/ a 0101) ,只要应变层的 厚度不超过一个临界厚度 ,则在外延过程中仍 能保持二维生长 ,并生长出没有缺陷的应变层 超晶格. 但 对 于 晶 格 常 数 失 配 较 大 的 两 种 材 料 , 大的应变将直接影响到生长过程. 结果在 表面上将形成三维的团簇 ,也就是量子点的列 3 国家自然科学基金资助项目 1997 - 9 - 8 收到初稿 ,1997 - 10 - 23 修回 阵 . 例如 ,在 GaA 阵 . 例如 ,在 GaAs 表面上先沉积一层 InAs , 当 厚度小于 Q 3D = 213ML ( 单分子层) 时 ,生长保 持为二维的 ; 当厚度 Q 超过 Q 3D 时 ,平面层的 InAs 突然聚集成“岛”, 而岛以外的 InAs 层的 厚度减小为 1ML ( ≈ 013 n