第三章-门电路演示教学.ppt

补充：半导体二极管;1. 本征半导体;3）在绝对0度和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为0，相当于绝缘体。;可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。;在其它力的作用下，空穴吸引临近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。;本征半导体的导电机理;2. 杂质半导体;+4;2）P型半导体;归纳;杂质半导体的示意表示法;一、 PN 结的形成;P型半导体;扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽。;漂移运动;－; 1） PN结加正向电压时的导电情况; 2. PN结加反向电压时的导电情况 ;?空间电荷区中没有载流子。;二、PN结的单向导电性;三、PN结的电容效应;半导体二极管的基本结构;二极管的伏安特性及主要参数;二、 主要参数;2.二极管的应用;电路如图示：已知 VA=3V VB=0V 求：VF=？;本章介绍数字电路的基本逻辑单元----门电路 主要内容 二极管三极管的开关特性 TTL和CMOS门电路的原理及输入输出特性;门：具有开关作用。 门电路：具有控制信号通过或不通过能力的电路。;门电路;3.1 概述;若以高电平表示1，低电平表示0，则称正逻辑;3.2 半导体二极管的门电路;二极管的开关特性 ;*;反向截止时 反向饱和电流极小 反向电阻很大（约几百kΩ） 相当于开关断开; 当外加电压突然由正向变为反向时，存储电荷反向电场的作用下，形成较大的反向电流。经过ts后，存储电荷显著减少，反向电流迅速衰减并趋于稳态时的反向饱和电流。;3.2.2 二极管与门;工作波形(又一种表示逻辑功能的方法） 逻辑表达式　　　F＝A B;VCC=5V;3.2.2 二极管或门;工作波形 逻辑表达式　　　F＝A+ B;　　MOS门电路：以MOS管作为开关元件构成的门电路。 MOS门电路，尤其是CMOS门电路具有制造工艺简单、集成度高、抗干扰能力强、功耗低、价格便宜等优点，得到了十分迅速的发展。;CMOS;P;P;2. 工作原理 ;(1) uGS =0 ,uDS≠0;P;P;P;P;二、MOS管的输入、输出特性;夹断区（截止区）;可变电阻区;恒流区： (又称饱和区或放大区）;三、MOS管的基本开关电路; 当vIVGS(th)且vI继续升高时，MOS管工作在可变电阻区。MOS管导通内阻RON很小，D-S间相当于闭合的开关,vO≈0。;场效应管开关电路;关于场效应管符号的说明：;§3.3.2 CMOS反相器工作原理 ;VDD;vI=1;;T1、T2构成反相器；T3、T4构成反相器 将T1、T3串联，T2、T4并联;3. 带缓冲级的CMOS门电路; 带缓冲级的门电路其输出电阻、输出高、低电平以及 电压传输特性将不受输入端状态的影响。电压传输特性的 转折区也变得更陡。;CMOS三态输出的门电路;CMOS电路的优点：;1. 焊接时，电烙铁外壳应接地。 2.存储和运输CMOS电路，最好采用金属屏蔽层做包装材料。 3. 器件插入或拔出插座时，所有电压均需除去。 4. 多余的输入端不能悬空。输入端悬空极易产生感应较高的静电电压，造成器件的永久损坏。对多余的输入端，可以按功能要求接电源或接地，或者与其它输入端并联使用。 5. 注意与 TTL 电路连接时的匹配问题。;　　TTL集成逻辑门电路的输入和输出结构均采用半导体三极管，所以称晶体管—晶体管逻辑门电路，简称TTL电路。;一、 晶体管的结构及类型;P;半导体三极管;二、双极型三极管的输入特性和输出特性 ;输入特性;四、双极型三极管的开关等效电路 ;(2)饱和状态;五、三极管的开关时间;六、 三极管反相器;1. 体积大、工作不可靠。;输入级;1.输入为低电平（0.2V）时;1.输入为低电平（0.2V）时;2.输入为高电平（3.4V）时;2.输入为高电平（3.4V）时; 可见，无论输入如何，T4和T5总是一管导通而另一管截止。 这种推拉式工作方式，带负载能力很强。;VCC;VCC;VCC;VCC;门槛电压VTH：当输入电压高于此值时，输出变为低电平。 VTH ≈1.4V;二、主要参数;uO(V);3）阈值电压UT;4）抗干扰能力（输入噪声容限）;一、输入特性（输入端的伏安特性）;2.vI=VIH=3.4V时;一.输入特性:;二.输出特性;二.输出特性;前后级之间电流的联系;前级输出为 高电平时;前级输出为 低电平时;扇出系数－－驱动同类门的个数。;三、输入端负载特性;1. 悬空的输入端相当于接高电平。;§3.5.5 其他类型的TTL门电路 ;