第七章Pspice与器件模型.pptVIP

图7-11 添加器件模型流程图 2. 代码建模方法的实现流程 我们制订了如图7-11所示的C代码建模流程。整个开发过程可以分为4个步骤：选择待修改的器件类型，修改内部结构（如果新器件内部结构与选定类型不一致），添加模型参数以及实现器件方程。下面，以碳化硅肖特基二极管为例， 详细介绍C代码建模方法。 (1) 选择待修改的器件类型。Pspice 8.0中提供了5种器件类型：砷化镓场效应管，类型符号为B；二极管，类型符号为D； 结型场效应管，类型符号为J；MOS场效应管，类型符号为M； 双极型三极管，类型符号为Q。器件方程开发包允许我们对这5种器件类型的源代码做修改，但不允许我们添加新的器件类型符号，因而，我们只能以变通的方法实现新型器件模型的添加。 对于器件内部热通道以及外部散热器，我们采取二端口RC网络的等效热模型； 对于器件的电学特性，我们采用标准二极管模型。这样碳化硅肖特基二极管有4个外部端点，如图7 -12所示。Pspice内建的器件类型中，MOS场效应管是4个外部端点， 因而，我们可以修改MOS场效应管的器件方程， 用MOS场效应管的类型符号M来代表这个新型器件。  注意：在Pspice 8.0现有的5种器件类型（B、D、 J、 M、 Q）中，类型D有2个外部端点，类型B、 J、 Q有3个外部端点， 类型M有4个外部端点。 (2) 实现器件内部结构。如果新器件与所选定的内建器件的拓扑结构不一样，就要对器件结构体作修改， 添加内部节点和支路。并同时在器件方程开发包的第二类源文件中做相应修改。 碳化硅肖特基二极管内部结构由一个标准二极管电路和一个热通道等效RC网络电路组成，这与MOS场效应管结构完全不同。 我们采取的办法是： 完全抛开原MOS场效应管内部节点，增加碳化硅肖特基二极管的全部内部节点。修改后的节点清单如表7-5所示。 表7-5 修改后的M类型节点清单 我们设定：外部节点B、S、D、G分别对应于图7-12所示的碳化硅肖特基二极管的P、N、Tc、Tref。下面我们来实现器件的内部结构。 在struct m_中添加内部节点：  CKT_IDX m_p, m_w, m_x, m_y, m_z; 添加导纳项指针变量定义语句：  MTX_IDX m_Bp, m_Sp, m_pB, m_pS, m_pp, m_xx, m_yy, m_zz, m_xy, m_yx, m_yz, m_zy,m_xD, m_Dx, m_xG, m_Gx, m_yG, m_Gy, m_zG, m_Gz; 添加对激励向量有贡献的支路电流指针变量定义语句：  MTX_IDX m_ip, m_ix, m_iy, m_iz, m_iS; 图7-12 碳化硅肖特基二极管 至此，器件结构体已修改完成。 剩下的是对第二类源文件的相应修改。修改文件DEMATPRT.CPP中的m_MatPtr( )子程序， 改后如下： int m_MatPtr(struct m_ *mloc) { int Type2Mod = (mloc-m_model-M_Type= =2); np = mloc-m_p; nx = mloc-m_x; ny = mloc-m_y; nz = mloc-m_z;  ...... /* 原有的代码 */ if (Type2Mod) { /* Type2对应于碳化硅肖特基二极管 */ flag = Reserve(nB, np); /* Reserve( )是Pspice提供的函数，为导 纳项分配内 /* 存空间 */ flag = Reserve(np, nB); flag = Reserve(nS, np); flag = Reserve(np, nS); ... /* 其它导纳项略 */ } return flag; } 同样地，对DEMATLOC.CPP中的m_MatLoc( )子程序作相应的修改。然后再在DEMODCHK.CPP中的m_AddInternalNodes( )子程序中增加4行： INTERNAL_NODE(P-M_rp, m_p, m_B); INTERNAL_NODE(P-M_rx, m_x, m_D); INTE