生产工艺及产品介绍.pptVIP

华磊芯片目前方向： 1、以08*15mil芯片成为小尺寸方片的市场主攻方向，光通量可达到5lm以上； 2、不断提升10*23mil品质以满足背光源市场需求； 3、大功率芯片的研发 4、华磊下阶段将向下游延伸，封装线也正在筹划中，目前小量验证线如SMD、Lamp及High-power的封装已经逐渐完善，基本接近国内封装厂水平，为下一步封装线的建立打下良好基础。 外延生长：MO源及NH3由载气传输到反应室，以质量流量计控制气体流量，反应物进入反应室后经载气传输到衬底表面反应形成外延薄膜。 主要设备有MOCVD、活化炉、PL 、X-Ray、PR、镭射打标机等。 一、前工艺 前工艺主要工作就是在外延片上做成一颗颗晶粒。简单的说就是Chip On Wafer的制程。利用光刻机、掩膜版、ICP、蒸镀机等设备制作图形，在一个2英寸的wafer片上做出几千~上万颗连在一起的晶粒。 目前华磊生产的芯片主要有： 小功率：07*09mil、08*12mil、08*15mil 12*13mil、10*16mil… 背光源：10*23mil… 高功率：45*45mil… 设备简介： 黄光室：匀胶机、加热板、曝光机、显影台、金相