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高溫爐系統圖  石英桿必須以單手操作以免燙傷。 晶片移入高溫爐時要慢慢移動。 半導體專題實驗 實驗五 氧化層之成長與厚度量測 以乾氧與濕氧方式成長氧化層 量測其厚度 探討氧化條件和厚度的關係 目的: Oxidation in Semiconductor A Typical MOS Profile Screen Oxide, Pad Oxide, Barrier Oxide 熱成長氧化層的機制與模型 乾氧生長(O2) ; 濕氧生長(H2O) 成長X厚度的SiO2 需消耗0.44X厚度矽 溫度越高 生長速度越快 氧化品質越佳 Introduction 氧化層的形成方法可以分成兩種: 非消耗性的氧化層沉積 化學氣相沉積法 (CVD) 物理氣相沉積法 (PVD) 消耗性的氧化層沉積 乾式氧化 (Dry Oxidation) 濕式氧化 (Wet Oxidation) ? Si (s) + O2 (g) → SiO2 (s) ?Si (s) + 2H2O (g) → SiO2 (s) + 2H2 (g) 熱成長氧化層的機制與模型(I) 為什麼叫做“消耗性”氧化層?? 將矽基材置於含氧的條件下，在矽表面氧化形成一層二氧化矽。由於該層二氧化矽會消耗部份的矽表層，我們將之歸類為消耗性氧化性成長 t 0.55 t 0.44t Original silico