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化学机械抛光 报告人：万珊珊 半导体产业是现代电子工业的核心，而半导体产业的基础是硅材料工业。虽然有各种各样新型的半导体材料不断出现，但 90%以上的半导体器件和电路，尤其是超大规模集成电路（ULSI）都是制作在高纯优质的硅单晶抛光片和外延片上的。 目前，超大规模集成电路制造技术已经发展到了 0.12μm 和 300mm 时代，特征线宽为 0.1μm 的技术也正在走向市场。随着特征线宽的进一步微小化，对硅片表面的平坦化程度提出了更高的要求，CMP 被公认为是 ULSI 阶段最好的材料全局平坦化方法，该方法既可以获得较完美的表面，又可以得到较高的抛光速率，已经基本取代了传统的热流法、旋转式玻璃法、回蚀法、电子环绕共振法等。 传统的化学机械抛光 1965 年 Walsh 和 Herzog 首次提出了化学机械抛光技术，之后逐渐被应用。在半导体行业，CMP 最早应用于集成电路的基底硅材料的抛光中，其后被逐步应用于集成电路的前半制程中（集成电路的制造过程共分为 4 个阶段：单晶硅片制造-前半制程-硅片测试-后半制程） ，主要用于层间介质，绝缘体，导体，镶嵌金属 W、Al、Cu，多晶硅，硅氧化物沟道等的平面化中。传统的 CMP 系统由以下三部分组成：旋转的硅片夹持装置；承载抛光垫的工作台；抛光液（浆料）供应系统。 抛光液 化学机械抛光是化学腐蚀和机械磨削同时进行，分为铜离子抛光、铬离子抛光和普遍采用的二氧化硅胶体抛光。二氧化硅胶体抛光是由极细的二氧化硅粉、氢氧化钠（或有机碱）和水配制成胶体抛光液。在抛光过程中，氢氧化钠与硅表面反应生成硅酸钠，通过与二氧化硅胶体的磨削，硅酸钠进入抛光液，两个过程不停顿地同时进行而达到抛光的目的。 有机碱腐蚀介质的稀土抛光液 现有的几种抛光液主要为金刚石磨料的碱性溶液，由于其中磨粒粒径大小不均匀，不能很好的解决机械作用造成的损伤和应力的问题，无法达到光滑镜面的目的。现有一种有机碱腐蚀介质的稀土抛光液，包括磨料二氧化铈和腐蚀剂有机碱三乙醇胺，重量百分比含量为二氧化铈 0.5％～5％、三乙醇胺为0.05～1.0％，其余为水。此抛光液中还可包含0.25％～1.0％的氧化剂铁氰化钾。上述抛光液在加入氧化剂铁氰化钾还可同时加入重量百分含量为5％～15％过氧化氢。此抛光液用于单晶硅片表面抛光，克服了使用现有抛光液中磨料硬度高造成的表面划伤和选择其他种类腐蚀介质带来的缺陷，获得了理想的光滑镜面抛光效果。 硅片的夹持技术 由于化学机械抛光中材料去除量很少，一般只有几微米，因此，化学机械抛光的材料去除力较小，对夹持系统的吸附力强度要求不高，但要求有较高的平整度。针对这种要求，目前在化学机械抛光中主要使用的夹持方法有石蜡粘结、水的表面张力吸附、多孔陶瓷式真空吸盘、静电吸盘和薄膜式真空吸盘吸附等方法。 机械夹持与石蜡粘结方法 早期的硅片固定方法有机械式夹钳和石蜡粘结等。但机械夹持方法容易使硅片发生翘曲变形或者损坏硅片的边缘区域，所以目前已经很少使用。 石蜡粘结方法是另一种使用较早的方法。具体方法是将硅片放置在夹具上的规定位置，先加热，然后将熔化的粘结剂渗入到硅片与夹具之间，并且仅供给不使硅片浮起的必要量，然后在工件上进行加压，使石蜡将硅片平整的固定在基板上。 水表面张力吸附夹持方法 利用水的张力进行夹持的方法与用石蜡进行粘结类似，是将网状泡沫聚氨酯布粘贴在不锈钢基板表面，并利用泡沫聚氨酯表面的水将硅片吸住。 静电吸盘夹持方法 为满足对硅片的高精度夹持和定位，70年代Wardly首先将静电吸盘应用在硅片的夹持中。目前静电吸盘的形式很多，大致可以分为两个类型：一种是硅片本身也通上高压，称作“平板电容式静电吸盘”；另一种不对硅片直接加压，称为“整体电极式静电吸盘” 真空吸盘夹持方法 目前在CMP加工中使用最广泛的硅片夹持方法是真空吸盘。真空吸盘顾名思义就是采用了真空原理，利用真空负压来“吸附”工件以达到夹持硅片的目的。在抛光过程中，通过真空吸盘将工作压力作用在硅片表面，吸盘上的保持环保证硅片与吸盘之间不会产生相对运动。 多孔陶瓷真空吸盘 静电吸盘 * * *