模拟电子技术基础2.3-2.4.pptxVIP

2.3 共集电极放大电路和共基极放大电路 ;;;; 射极跟随器的输入电阻大；输出电阻小；电压放大倍数小于1而接近于1；输出电压与输入电压相位相同；虽然无电压放大作用，但仍有电流和功率放大作用；这些特点使它在电子电路中获得了广泛应用。 作为多极放大电路的输级。输入电阻大，可使输入到放大电路的信号电压基本上等于信号源电压。因此常用在测量电压的电子仪器中作为输入级。 输出电阻小，提高了放大电路的带负载能力，故常用于负载电阻较小和负载变动较大放大电路的输出级。如在互补型功率放大电路中获得广泛应用。 作为多级放大电路的缓冲级。将射极输出器接在两级放大电路之间，利用其输入电阻大、输出电阻小的特点，可做阻抗变换用，在两级放大电路中间起缓冲作用。;2．共基极放大电路;;用途;2.4 场效应管;1．结型场效应管;P沟道结型场效应管内部结构及电路符号;（2）N沟道结型场效应管的工作原理和特性曲线;① uGS对导电沟道的影响。为了便于讨论，先假设uDS=0，不考虑它对沟道的影响。;当uGS由零值向负值变化时（uGS0），两个PN结的耗尽层将加宽，沟道电阻增大。; 当uGS继续向负值变化到一定值时，两侧耗尽层将在中间合拢，导电沟道消失，这种情况称为“夹断”。;② uDS对导电沟道的影响。;uDS从零值增大但数值很小时，导电沟道不等宽的情况变化不明显，沟道电阻基本为定值，因而iD随uDS几乎成正比增大，输出特性曲线呈线性上升。;uDS继续增大，则两个PN结的耗尽层不断加宽， uDS增大到 值时，两边的耗尽层在漏极附近的A点相遇，这种情况称为预夹断，这时的称为饱和漏电流IDSS。;uDS继续增大，过强的电场会使栅漏极间PN结发生击穿，致使iD急剧上升。;③ 输出特性曲线;可见uGS对iD的控制作用。;（3）P沟道结型场效应管的工作原理和特性曲线;2．绝缘栅型场效应管; 漏极与源极间有三段短线，表示管子的原始沟道（即uGS=0时）是不存在的，为增强型管。垂直于沟道的箭头表示导电沟道的类型，箭头由P区指向N区。; 若uGS继续增大，则吸引到衬底表面的电子增多，在栅极附近的P型衬底表面形成一个N型薄层。 将两个区N＋相连，于是在漏、源极间形成了N型导电沟道。这时若有uDS0，就会有漏极电流iD产生。开始形成导电沟道时的uGS称为开启电压，用UGS(th)表示。; uGS增加越多，吸引到P型硅表面的电子就越多，导电沟道越宽，沟道电阻越小，在同样的uDS作用下，iD就越大，这就是MOSFET的控制原理。 利用外加电压uGS来控制半导体表面的金属-二氧化硅中的电场效应，改变反型层厚薄来控制iD大小的。uGS=0时没有导电沟道，uGS≥UGS(th)后才有导电沟道。;转移特性可近似表示为 iD=IDO(uGS/UGS(th)?1)2;（2）P沟道增强型MOS场效应管;（3）N沟道耗尽型MOS场效应管;;（4）P沟道耗尽型MOS场效应管;3．场效应管的主要参数; gm也就是转移特性曲线工作点处切线的斜率，可见，它与管子的工作电流iD有关，iD越大，gm就越大。;（2）极限参数;4．场效应管放大电路的直流偏置;图解方法;② 自偏压电路;图解方法;③ 分压偏置电路;（2）耗尽型MOSFET直流分析;① 反馈偏置电路;② 分压偏置电路;5．场效应管放大电路的动态分析;（2）场效应管应用举例;