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气相沉积 简介 CVD(Chemical Vapor Deposition,化学气相沉积），指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。在超大规模集成电路中很多薄膜都是采用CVD方法制备。经过CVD处理后，表面处理膜密着性约提高30%，防止高强力钢的弯曲，拉伸等成形时产生的刮痕。 特点 沉积温度低，薄膜成份易控，膜厚与淀积时间成正比，均匀性，重复性好，台阶覆盖性优良。 制备的必要条件 1） 在沉积温度下，反应物具有足够的蒸气压，并能以适当的速度被引入反应室； 2） 反应产物除了形成固态薄膜物质外，都必须是挥发性的； 3） 沉积薄膜和基体材料必须具有足够低的蒸气压。 PVD是英文Physical Vapor Deposition（物理气相沉积）的缩写，是指在真空条件下，采用低电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放电使靶材蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离，利用电场的加速作用，使被蒸发物质及其反应产物沉积在工件上。 涂层技术 增强型磁控阴极弧：阴极弧技术是在真空条件下，通过低电压和高电流将靶材离化成离子状态，从而完成薄膜材料的沉积。增强型磁控阴极弧利用电磁场的共同作用，将靶材表面的电弧加以有效地控制，使材料的离化率更高，薄膜性能更加优异。 过滤阴极弧：过滤阴极电弧(FCA )配有高效的电磁过滤系统，可将离子源产生的等离子体中的宏观粒子、离子团过滤干净，经过磁过滤后沉积粒子的离化率为100%，并且可以过滤掉大颗粒， 因此制备的薄膜非常致密和平整光滑，具有抗腐蚀性能好，与机体的结合力很强。 磁控溅射：在真空环境下，通过电压和磁场的共同作用，以被离化的惰性气体离子对靶材进行轰击，致使靶材以离子、原子或分子的形式被弹出并沉积在基件上形成薄膜。根据使用的电离电源的不同，导体和非导体材料均可作为靶材被溅射。 离子束DLC：碳氢气体在离子源中被离化成等离子体，在电磁场的共同作用下，离子源释放出碳离子。离子束能量通过调整加在等离子体上的电压来控制。碳氢离子束被引到基片上，沉积速度与离子电流密度成正比。星弧涂层的离子束源采用高电压，因而离子能量更大，使得薄膜与基片结合力很好；离子电流更大，使得DLC膜的沉积速度更快。离子束技术的主要优点在于可沉积超薄及多层结构，工艺控制精度可达几个埃，并可将工艺过程中的颗料污染所带来的缺陷降至最小。 金刚石电极 金刚石电极是一种新型的电极，在电化学传感器，电催化中具有良好的应用前景。他利用掺硼金刚石（boron-doped diamond BDD）薄膜作为电极材料，而掺硼金刚石薄膜特殊的sp3键结构及其具有的导电性，赋予了金刚石薄膜电极优异的电化学特性，如宽的电化学势窗、较低的背景电流、较好的物理化学稳定性以及低吸附特性等。 1． 宽电化学势窗 电极的析氧电位与析氢电位的电势差值，称为电极的电势窗口(Potential Window)。电化学电位窗口是衡量一个电极材料的电催化能力的重要指标，电化学窗口越大，特别是阳极析氧过电位越高，对于在高电位下发生的氧化反应和合成具有强氧化性的中间体更有利。另外，对于电分析性能来说，因为电极上发生氧化还原反应的同时，还存在着水电解析出氧气和氢气的竞争反应，若被研究物质的氧化电位小于电极的析氧电位或还原电位大于电极的析氢电位，在电极达到析氧或者析氢电位前，被研究物质在阳极上得以电催化氧化或者还原，可以较好的分析氧化或还原过程。但若氧化或还原过程在电极的电势窗口以外发生，被研究物质得到的信息会受到析氢或析氧的影响，得不到最佳的研究条件甚至根本无法进行研究。 掺硼金刚石薄膜较宽的电势窗口，特别是较高的析氧电位，可以使得研究较高电位下的氧化还原反应成为可能，如可以通过分析氧化电位来进行有机物质的电分析，研究者已经成功将高析氧电位的特点应用于电分析，如茶碱，生物胺等，而用常规玻璃碳，碳纤维电极，由于高氧化电位的限制，其检测精度非常低甚至无法进行检测。此外，由于金刚石薄膜电极较高的析氧电位，可较高效率的产生强氧化性物质如羟基自由基，羟基自由基具有非常高的活性，能对有机物进行有效“催化焚烧”。下表列出了常用电极的析氧电位，可以看出BDD电极具有最高的析氧过电位。 2． 低背景电流 背景电流与电极表面形成电子双电层的电容量有关，金刚石材料电极表面的双电层为几个μF/cm2，与GC等电极相比要小2个数量级。关于金刚石电极材料背景电流小的原因有以下几种可能：由于掺杂水平的影响，在费米能级附近具有较小的电子密度，因而对于双电层充放电的贡献较小；金刚石在生长过程中产生不同的生长取向，电极的表面由一系列“微电极”组成，这些分散的原子大小的“微电极”使得整体双电层变小；金刚石表面是sp3结构的碳元素， 表面C-O功能团的贡献对双电层电