MOS晶体管模型与CMOS模拟电路基础.pptVIP

2008-3-19 129 微电子学系 = 96.8mV RD 2 RSS + 1 ( 2 gm ) 例题 (b) gm = 2μn Cox (W L ) I D1 = 1 ( 632Ω ) ≈ (1/ 600Ω) AV = gm RD → RD = 3.16K Ω Vout ,CM = VDD ? I D RD = 1.42V 输出信号的半边幅值为1.42V-(1.73-0.6)V=290mV (c) ΔVX ,Y = ΔVin ,CM 新的Vout ,CM = 1.42 ? 0.0968 = 1.323V 新的允许的输出最小电压为1.73 + 0.05 ? 0.6 = 1.18V 输出信号的半边幅值变为1.323 ? 1.18 = 143mV 2008-3-19 130 微电子学系 减小输出摆幅 2008-3-19 131 微电子学系 共模响应：考虑电路不对称和尾电流源的影响 ACM－DM表示共模到差模的转换，简称为“共模增益” = ? Δg m RD (g m1 + g m 2 )RSS + 1 ACM ? DM 用所希望的差动增益与不希望的共模增益的比值来衡量对 共模扰动的抑制能力。定义“共模抑制比”（CMRR）如下 ADM ACM ? DM CMRR = R 其中，gm = (