高质量GaN自支撑层的制备研究进展.pdf

L印技带、市场和专利综述 doi：10．3969／j．i鹪n．1003·353x．2010．z2．004 高质量GaN自支撑层的制备研究进展 崔林，张化宇，汪桂根 (哈尔滨工业大学深圳研究生院，广东深圳518055) 摘要：介绍了G8N材料具有禁带宽、热导率高、电子饱和漂移速度大、介电常数小、化学 性质稳定和机械性能好等特点，使其在从蓝绿到紫外波段的LED器件，紫外探测器，外空间和 海底通讯，电子器件以及特殊条件下的半导体器件等领域有着广泛的应用前景。总结了GaN体 单晶制备技术和三种主要外延生长技术(MOcvD、MBE、HvPE)及外延生长存在的问题。氢化 物气相外延(HvPE)具有设备简单、成本低、生长速度快等优点是制备高质量氮化镓(G8N)自 支撑层最有希望的方法，描述了氢化物气相外延技术原理，分析了HvPE制备GaN自支撑(‰e- star曲ng)层的方法，综述了高质量GaN自支撑层制备国内外研究进展，并指出今后研究方向。 关键词：QIN；自支撑层；氢化物气相外延；剥离；金属有机化学气相沉积 中图分类号：TN304．054；TN312．8文献标识码：A 文章编号：10c13．353X(加10)增刊．0017．晒 Reseach锄d Pr惦pects仰theTeclIlIiqu鹤ofPreparation GaN 蜀时llighQuauty Layer Fr钾-St锄ding Cui“n，ZhangHuayu，W粕gGuigen (舶r6讥，珊疵眦旷‰^，蝴鼽鲫zh饥G，8d加据s如D以，sf圮船^饥518055，C舶％) A1蝴ct：，nIe诵de electmn船tumti伽shift b鲫d卿，higll山emlalc∞ductiV畸，large veloc醇，low dielectric mech锄ical GaNmateIialsareintroduced鲫d co衄taIlt，chemical stability蛐dgood pmpeni∞of tlIey have in to UV wide印plieationstho舱fie王ds，跚ch鹳LEDdevices姆on硒mblue·greenUV， detIector， outer 锄dunder∞a electmnicdevice8明dse“conductordevices蛐dIer space com姗nication8， special f11lemetllodsforthe ofGaN GaN conditions． prep哪tion sindecrystal锄dtll脱啪inlyepitaxygrowth materiaI妣hnol蟛es(MOCVD，MBE，HVPE)觚depita】【ialgrowth Hydride pIoblems眦summ柚zed． ismemost methodforthe vaporphaseepitaxy(HVPE)proIIlising pr；epam60n“highqualityf}ee—st