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第七章 金属和半导体的接触Metal-Semiconductor Contact 金属与半导体接触后，WmWs Page 238: 3、4、6、7、8 隧道效应引起的势垒的减低为： 随反向电压增加而增大，并且反向电压较高时， 势垒减低才明显。 镜像力和隧道效应对I-V特性的作用基本相同，对 反向特性影响显著，引起势垒减低反向电流增加 qΔ? = JSD = ? JST = ? 考虑镜像力、隧道效应后的反向饱和电流： 例：有一块施主浓度ND=1016/cm3的n型锗材料，其(111)面与金属接触制成肖特基二极管，已知VD=0.4V，考虑镜像力影响时，求加上0.3V电压时的正向电流密度。 解：镜像力影响导致的势垒高度降低量为： 半导体侧实际势垒高度： 金属侧势垒高度： A* = 1.11 A §6.3 少数载流子的注入和欧姆接触 1、少数载流子的注入 对n型阻挡层，对少子空穴 就是积累层，在势垒区表面空穴浓度最大： 由表面向内部扩散，平衡时被电场抵消。 E V Jn 在正向电压时，空穴扩散电流和电子电流方向一致。部分正向电流由少子贡献。 1. 决定于阻挡层中空穴的浓度。势垒很高时，接触表面空穴浓度很高。 2. 受扩散能力的影响。在正向电压时，空穴流向半导体体内，在阻挡层形成一定的积累，然后靠扩散进入半导体体内。 注入比 g ： 在加正向电压时，少子电流和总电流的比 在大电流时，注入比随电流密度的增加而增大 少子空穴电流的大小： Ec EF EV qVD Ec EV Ec(0) EV(0) qVD 2、欧姆接触 定义：金/半接触的非整流接触：不产生明显的附加电阻，不会使半导体体内的平衡载流子浓度发生明显的改变。 应用：半导体器件中利用电极进行电流的输入和输出要求金属和半导体接触形成良好的欧姆接触。在高频和大功率的器件中，欧姆接触是设计和制造的关键。 实现：1. 反阻挡层，实现欧姆接触。实际中，由于很高的表面态难于实现。 2. 隧道效应，实现半导体制造的欧姆接触。 隧道厚度的估算（参考） 当势垒厚度，x xc 势垒对电子完全透明 隧道穿透 通过重掺杂可获得能产生隧道电流的特殊阻挡层 xc d 利用隧道效应实现欧姆接触： 在n型或p型半导体上制作一层重掺杂区再与金属接触，形成金属－n+n 或金属—p+p 结构。 金属的选择很多 电子束和热蒸发、溅射、电镀 E0 c Ws EFs Ec Wm EFm E0 c EFs Ec(0) Wm EFm Ec xd → 0 V J The principle of the Schottky junction solar cell. Current from an n-type semiconductor to the metal results in heat absorption at the junction. Current from the metal to an n-type semiconductor results in heat release at the junction. Cross section of a typical thermoelectric cooler. 1、功函数：功函数的定义是E0与EF能量之差， 用W表示。即 半导体的功函数可以写成 本 章 小 结 简化模型 (耗尽层近似)： 势垒高度qVDk0T 势垒区内的载流子浓度～0 空间电荷完全由电离杂质电荷形成 均匀掺杂 0 N型半导体的耗尽层 xd ：耗尽层的宽度 ND：是施主掺杂浓度 ① 电势在半导体中的分布 EF 0 xd x V metal semiconductor Space charge region qFns En =qFn -qVs = qVD 耗尽层 则电荷密度分布： 边界条件： 半导体内部电场为零 以金属费米能级处为电势零点(-EFm/q) 积分得： 积分得： 电场分布 电势分布 外加电压V在金属上: 0 V EF xd 故 当表面势外加电压V和表面势同号时，势垒高度提高、势垒宽度变大。 由此可见, xd 随外加电压的变化而变化 势垒宽度 xd ： ② 通过势垒的电流密度： 漂移电流 扩散电流 电流密度： 代入： J 两边同时乘因子 在稳定的情况下，J 是与 x 无关的常数 xd 处(已到半导体体内): x = 0 处(半导体表面): 用耗尽层近似求积分 → J 电势分布： 在势垒高度大于 k0T 时， 积分主要决定于x=0附近的电势值，去掉x2 项 随 x 增大而急剧减小！ 由 代入到： 把积分函数和 xd 的表达式 可得到电流密度为： 其中， ③ J-V特性讨论： 其大小主要决定于 指数因子 (1) V0时： (2) V0时