Sputter基本原理与知识培训教材.pptVIP

* 文件名 文件名 第三章 溅射原理-4（射频溅射） * 阻抗匹配： ~ 射频电源 匹配网络 反应腔室 3-5 可调匹配网络 由于射频溅射设备的放电阻抗大多为10KΩ，射频电源的内阻大约为50Ω，所以二者要进行良好的匹配。 由于设备内的电极和挡板的布置等是变化的所以要利用匹配网络进行匹配。以使射频功率有效地输入到设备内。 目录 第一章 真空 第二章 等离子体 第三章 溅射原理 第五章 溅射镀膜设备 第六章 溅射靶及靶材配置 * 第四章 反应性溅射 第四章 反应性溅射 * 在溅射镀膜时， 有意识地将某种反应性气体引入溅射室并达到一定的分压， 即可改变或控制沉积特性， 从而获得不同于靶材的新物质薄膜，这就叫反应性溅射； 通入不同的反应气体就可以得到不同的沉积膜层： 通入氧气可以形成氧化膜； 通入氮气可以形成氮化膜； 通入甲烷（CH4）可以形成碳化物膜； 通入硫化氢（H2S）可以形成硫化物膜； 反应性溅射： 第四章 反应性溅射 * Pumping system target Power supply substrate Gas ArO2 _电场 +电场 Ar+ O- Zn （Zn） 反应性溅射： 目录 第一章 真空 第二章 等离子体 第三章 溅射原理 第四章 反应性溅射 第六章 溅射靶及靶材配置 * 第五章 溅射镀膜设备 第五章 溅射镀膜设备 * 5-1 溅射镀膜设备 第五章 溅射镀膜设备 * 5-2 溅射镀膜设备示意图 C1 C2 C3 C6 C5 1 6 5 4 3 2 7 8 AZO Ag预留 Al Al NiV C7 各个腔室底压要求： 上下料腔室底压：C1/C7≤ 1 x 10-3 mbar 缓冲腔室底压 ：C2/C6≤ 3 x 10-6 mbar 传输腔室底压 ：C3/C5≤ 1.5 x 10-6 mbar 工艺腔室底压 ：C4/1?C4/8≤ 1.5 x 10-6 mbar 目录 第一章 真空 第二章 等离子体 第三章 溅射原理 第四章 反应性溅射 第五章 溅射镀膜设备 * 第六章 溅射靶及靶材配置 第六章 溅射靶及靶材的配置 * 6-1 平面靶 6-2 圆柱靶 第六章 溅射靶材及靶材的配置 * 圆柱靶与平面靶利用率比较 第六章 溅射靶材及靶材的配置 * 6-3 靶材配置示意图 C1 C2 C3 C6 C5 1 6 5 4 3 2 7 8 AZO Ag预留 Al Al NiV C7 第六章 溅射靶材及靶材的配置 * SPUTTER沉积工艺 膜层 沉积速率 沉积厚度 膜厚均匀性 面电阻 面电阻均匀性 透光率 AZO 200nm*m/min 100±2.5nm 5% ＜300 [Ω/□] 5% ＞ 82.5%(波长450～1100 nm光线) Al 400nm*m/min 200±5nm 5% 0.5 [Ω/□] 5% 无 NiV 100nm*m/min 50±1.25nm 5% 12 [Ω/□] 5% 无 注：此参数是暂行确定，具体参数根据实际情况可能会有改动。 膜层参数： 讲解结束 讲解结束，谢谢！ * 知识回顾Knowledge Review * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 文件名 文件名 * * 文件名 文件名 * 文件名 文件名 河北东旭投资集团 太阳能研究所 河北东旭投资集团 太阳能研究所 河北东旭投资集团 太阳能研究所 演讲人：王金萍 * 目录 第一章 真空 第二章 等离子体 第三章 溅射原理 第四章 反应性溅射 第五章 溅射镀膜设备 第六章 溅射靶及靶材配置 * 目录 第二章 等离子体 第三章 溅射原理 第四章 反应性溅射 第五章 溅射镀膜设备 第六章 溅射靶及靶材配置 * 第一章 真空 第一章 真空 * 1-1 生活中的真空 1、大气压、真空、真空度？ 第一章 真空 * 帕斯卡 Pa： 1Pa=1N/㎡ 标准大气压 atm： 1atm=101325Pa 托 Torr： 1Torr=133.32Pa 毫巴 mbar： 1mbar=100Pa 2、压强单位 第一章 真空 3.真空区域的划分 * 大气： 103mbar 低真空： 103~10-3mbar 中真空： 10-3~10-6mbar 高真空： 10-6~10-9mba