第7章 气相沉积技术.ppt

①采用单蒸发源时，使加热器间断的供给少量热量，产生瞬间蒸发； ②采用多蒸发源，使各种金属分别蒸发，气相混合，同时沉积。利用该法还可以得到用冶炼方法所得不到的合金材料薄膜。 单蒸发源和多蒸发源蒸镀合金膜示意图 ① 在基板背面设置一个加热器，加热基极，使基板保持适当的温度，这既净化了基板，又使膜和基体之间形成一薄的扩散层,增大了附着力； ② 对于蒸镀像Au这样附着力弱的金属，可以先蒸镀像Cr，Al等结合力高的薄膜作底层。 电阻加热蒸发源 电子束加热蒸镀 激光陶瓷蒸镀 在溅射镀膜中，被轰击的材料称为靶。 由于离子易于在电磁场中加速或偏转，所以荷能粒子一般为离子，这种溅射称为离子溅射。 二极溅射装置 四极溅射装置 HCD离子镀装置 ①粘着力强； ②均镀能力好； ③被镀基体材料和镀层材料可广泛搭配； ④工艺无污染 ①将反应气体及其稀释剂通入反应器，并能进行测量和调节； ②能为反应部位提供热量，并通过自动系统将热量反馈至加热源，以控制涂覆温度。 ③将沉积区域内的副产品气体抽走，并能安全处理。 ①反应器内的温度。 ②进入反应器的气体或蒸气的量与成分。 ③保温时间及气体流速。 ④低压CVD必须控制压强。 4.3、离子镀的特点 第五节 化学气相沉积 化学气相沉积法 在相当高的温度下，混和气体与基体的表面相互作用，使混和气体中的某些成分分解，并在基体上形成一种金属或化合物的固态薄膜或镀层。 5.1、化学气相沉积原理 化学反应类型 1 热分解反应：??? SiH4 --- Si + 2H2 2 还原反应：????? SiCl4 + 2H2 --- Si + 4HCl? 3 氧化反应：????? ? SiH4 + O2 --- SiO2 + 2H2 4 水解反应：? 2AlCl3＋3CO2＋3H2 ---Al2O3＋6HCl＋3CO 5 氮化反应或氨解反应： ?3SiH4 ＋ 4NH3 --- Si3N4 ＋ 12H2 5.1、化学气相沉积原理 化学反应类型 6 碳化反应：?????? TiCl4 ＋ CH4 --- TiC ＋ 4HCl 7 歧化反应：???? ?? 2SiI2 --- Si ＋ SiI4 8 合成反应：? ? (CH3)3Ga ＋ AsH3 --- GaAs ＋ 3CH4 9 基体反应：? ? ? Ti ＋ 2BCl3 ＋ 3H2 --- TiB2 ＋ 6HCl 5.1、化学气相沉积原理 化学反应类型 10 等离子体激发反应： 用等离子体放电使反应气体活化，可以在较低温度下成膜。 11 光激发反应： 如在SiH-O2反应系中使用水银蒸气为感光物质，用紫外线照射，可在100℃左右制备硅氧化物。 12 激光激发反应： 如有机金属化合物在激光激发下有 W(CO)6 --- W + 6CO 化学气相过程 5.1、化学气相沉积原理 反应气体扩散至工件表面； 1 反应气体分子被基材表面吸附； 2 在基材表面产生化学反应，形核等； 3 生成物由表面解吸； 4 生成物从基材表面扩散离开。 5 5.2、工艺方法 工艺方法的共性 5.2、工艺方法 工艺方法的主要参量 1. 二极溅射 装置的优点 结构简单，控制方便 装置的缺点 因工作压力较高，膜层有沾污； 沉积速率低，不能镀10微米以上的膜厚； 由于大量二次电子直接轰击基片，使基片温升过高。 2. 三极和四极溅射 三极溅射是在二极溅射的装置上附加一个电极，使放出热电子强化放电，它既能使溅射速率有所提高，又能使溅射工况的控制更为方便。 四极溅射又称为等离子弧柱溅射。在原来二极溅射靶和基板垂直的位置上，分别放置一个发射热电子的灯丝(热阴极)和吸引热电子的辅助阳极，其间形成低电压、大电流的等离子体弧柱。 缺点 还存在因灯丝具有不纯物而使膜层沾污等问题。 不能抑制由靶产生的高速电子对基片的轰击，会导致基片温度升高。 3. 射频溅射 射频是指无线电波发射范围的频率，为了避免干扰电台工作，溅射专用频率规定为13.56 MHz。在射频电源交变电场作用下，气体中的电子随之发生振荡，并使气体电离为等离子体。 射频溅射的两个电极并不对称。放置基片的电极与机壳相连，并且接地，是一个大面积的电极。它的电位与等离子相近，几乎不受离子轰击。另一电极对于等离子处于负电位，是阴极，受到离子轰击，用于装置靶材。 缺点 大功率的射频电源不仅价高，对于人身防护也成问题。因此，射频溅射不适于工业生产应用。 4. 磁控溅射 特点 磁控溅射特点是在阴极靶面上建立一个环状磁靶，以控制二次