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石英晶俸狐嚼电酪筱针
摘要:不同的制造商提供各种形状与大小的石英晶体,其性能指标也各不一样。 这些指标包括谐振频率、谐振模式、负载电容、串联阻抗、管壳电容以及驱动 电平。本应用笔记帮助读者理解这些指标参数,并允许用户根据应用选择合适的 晶体以及在MAX1470超外差接收机电路应用中获得最佳效果。
不同的制造商提供各种形状与大小的石英晶体,其性能指标也各不一样。这 些指标包括谐振频率、谐振模式、负载电容、串联阻抗、管壳电容以及驱动电平。 本篇应用笔记帮助读者理解这些指标参数,并允许用户根据应用选择合适的晶体 以及在MAX1470超外差接收机电路应用中获得最佳效果。
晶体的等效电路见图1。图中包括了动态元件:电阻Rs、屯感Lm.屯容 Cm和并联电容Co。这些动态元件决定了晶体的串联谐振频率和谐振器的Q值。 并联电容Co是晶体电极、管壳和引腿作用的结果。
图7.晶体模型
以下详细给出主要的性能指标。
谐振频率
晶体频率可以根据接收频率指定。由于MAX1470使用低端注入的10.7MHz 中频,晶体频率可由下式给出(单位为MHz):
I*卜?I0.7 ~64~
对于315MHz应用,晶体的频率可为4.7547MH乙 而在433.92MHz应用吋 需耍6.6128MHz晶体。仅基频模式的晶体需要指定(无需泛音)。
谐振模式
品体具有两种谐振模式:串联(两个频率中的低频率)和并联(反谐振,两个 频率中的高频率)。所有在振荡电路中呈现纯阻性时的晶体都表现岀两种谐振模 式。在串联谐振模式中,动态电容的容抗Cm、感抗Lm相等>1.极性相反,阻抗 最小。在反谐振点。阻抗却是最大的,屯流是最小的。在振荡器应用中不使用反 谐振点。
通过添加外部元件(通常是电容),石英晶体可振荡在串联与反谐振频率之间 的任何频率上。在晶体工业中,这就是并联频率或者并联模式。这个频率高于串 联谐振频率低于晶体真正的并联谐振频率(反谐振点)。图2给出了典型的晶体 阻抗与频率关系的特性图。
Inductive
Capacitive
图2.晶体阻抗相对频率 负载电容和可牵引性
在使用并联谐振模式时负载电容是晶体一个重要的指标。在该模式当中,晶 体的总电抗呈现感性,与振荡器的负载电容并联,形成了 LC谐振回路,决定了 振荡器的频率。当负载屯容值改变后,输出频率也随Z改变。因而,晶体的生产 商必须知道振荡器电路中的负载电容,这样可以在工厂中使用同样的负载电容来 校准。
如果使用谐振在不同的负载电容上的晶体,那么晶体频率将偏离额定的工作频 率,这样参考频率将引入误差。因而,需要添加外部电容,改变负载电容,使晶 体重新振荡到需要的工作频率上。
图3给出MAX1470评估板电路里的晶体图。在这个电路中,C14和C15是 串联牵引电容,而C16是并联牵引电容。Cevkit为等效的MAX 1470芯片加 上评估印刷板的寄生电容。Cevkit约为5pFo
图3.评估板晶体等效电路 串联牵引电容会加快晶体振荡,而并联电容会减缓振荡。Cevkit为5pF,如果 使用负载电容为5pF的晶体,会振荡到需要的频率上,因而无需外部的电容(C16 不接,同时C14和C15在板上短接)。评估板本身使用3pF负载电容的晶体, 需要两个15pF电容串联加速振荡。负载电容的计算如下:
在这个例子中,如果不使用两个串联电容,4.7547MHz晶体会振荡在
4.7544MH乙而接收机将调谐在314.98MHz而不是315.OMH乙频率误差约 为20kH乙 也就是60ppmo
因而,关键是使用串联或者并联或者两种形式匹配晶体的负载容抗(取决于电容 的值)。例如,lpF并联电容是6pF负载电容所需要的(或者以下的结合形式: C14 = C15 = 27pFz C16 = 5pF)。
谨慎使用大屯容值的C16,因为它会增大谐振电路的电流,导致晶体停振,图4 给岀了并联电容和振荡器电流的关系图。
图4.晶体振荡器电流与附加的并联负载电容的关系 在定制的PCB板中,如果Cevkit未知,可以使用频谱分析仪监测中频(在信号 进入频谱分析仪之前确保使用隔直电容),然后使用串联和并联电容调谐中频频 率至 10.7MHz。
串联电阻
普通晶体的典型串联电阻为25Q至100Q。晶体制造商通常给出该电阻的特性 并指定了其最大值。在MAX1470振荡电路中该电阻不要超过lOOQo
管壳或者并联电容
这个便是晶体电极、管壳和引脚的电容。典型值范围为2pF至7pF。
驱动电平
必须限制晶体的功耗,在过分机械振动的条件下石英晶体会停振。由于菲线性, 晶体特性也会随驱动电平变化。晶体制造商会根据特殊牛产线指定最大的驱动电 平。使用驱动电平在lpW范围内的晶体。
以上这些性能指标可指导用八选择合适的晶体以满足MAX1470振荡电路的需耍,能够改善接收
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