第五章mos场效应管的特性.pptVIP

MOSFET的噪声来源主要由两部分： 热噪声 (thermal noise) 闪烁噪声(flicker noise，1/f-noise) 5.5 MOSFET的噪声 MOS管特性 有源器件的噪声特性对于小信号放大器和振荡器等模拟电路的设计是至关重要的； 所有FET(MOSFET, MESFET等)的1/f 噪声都高出相应的BJT的1/f 噪声约10倍。这一特征在考虑振荡器电路方案时必须要给予重视。 热噪声 是由沟道内载流子的无规则热运动造成 的，通过沟道电阻生成热噪声电压 veg(T，t)，其等效电压值可近似表达为 Df为所研究的频带宽度, T是绝对温度. 设MOS模拟电路工作在饱和区, gm可写为 结论：增加MOS的栅宽和偏置电流，可减小器件的热噪声 MOS管特性 闪烁噪声(flicker noise，1/f -noise) 形成机理：沟道处SiO2与Si界面上电子的充放电 闪烁噪声的等效电压值 系数K2典型值为3?1024V2F/Hz。 因为 ??1，所以闪烁噪声被称之为1/f 噪声。 电路设计时，增加栅宽W，可降低闪烁噪声。 MOS管特性 5.6 MOSFET尺寸按比例缩小(Scaling-down) MOSFET尺寸缩小对器件性能的影响 饱和区 结论1： L ? ? Ids? tox? ? Ids? L? +tox? ? Ids?? 减小L和tox引起MOSFET的电流控制能力提高 结论2： W ? ?Ids? ?P? 减小W 引起MOSFET的电流控制能力和输出功率减小 结论3：( L? + tox?+W?)?Ids=C ? AMOS? 同时减小L，tox和W， 可保持Ids不变，但导致器件占用面积减小，集成度提高。 总结论：缩小MOSFET尺寸是VLSI发展的总趋势！ Scaling-down MOSFET尺寸缩小对器件性能的影响 减小L引起的问题: L??Vds=C ? Ech?，Vdsmax?, 即在Vds≤Vdsmax不变的情况下，减小L将导致击穿电压降低. 解决方案： 减小L的同时降低电源电压VDD。 降低电源电压的关键：降低开启电压VT Scaling-down Scaling-down L(?m) 10 2 0.5 0.35 0.18 VT(V) 7-9 4 1 0.6 0.4 VDD(V) 20 12 5 3.3 1.8 缩小尺寸后：栅长、阈值电压、与电源电压对比 降低VT 的方法 ： 1) 降低衬底中的杂质浓度，采用高电阻率的衬底; 2) 减小SiO2介质的厚度 tox。 2 MOSFET的动态特性影响 Ids：Ids(Vgs) R： Rmetal, Rpoly-Si, Rdiff C：Cgs, Cgd, Cds, Cgb, Csb, Cdb, Cmm, Cmb Cg = Cgs+Cgd+ Cgb ; 关键电容值 其等效于一个含有受控源Ids的RC网络。 MOSFET的动态特性(即速度)，取决于RC网络的充放电的快慢，进而取决于 电流源Ids的驱动能力，即跨导的大小； RC时间常数的大小， 充放电的电压范围，即电源电压的高低. Scaling-down MOSFET 的速度可以用单级非门(反相器)的时延 ?D来表征。 Scaling-down ：(L?，W?， tox?)?Ids? ?R— VDD? 速度的影响 R基本不变, 但是C减小， ??D 减小 结论：器件尺寸连同VDD同步缩小，器件的速度提高。 Scaling-down 3 MOSFET的跨导gm L???0?? MOSFET的跨导 gm的定义为： MOSFET I-V特性求得 MOSFET的优值: Scaling-down 5.7 MOS器件的二阶效应 随着MOS工艺向着亚微米、深亚微米的方向发展，必须考虑。 二阶效应出于两种原因： 1) 当器件尺寸缩小时，电源电压还得保持为5V，于是，平均电场强度增加了，引起了许多二次效应。 2) 当管子尺寸很小时，这些小管子的边缘相互靠在一起，产生了非理想电场，也严重地影响了它们的特性。 MOS管二阶效应 4 L和W的变化（MOS器件模型二阶效应） 另外，在氧化区的下面称为场注入区（field implant）的P+区，其 Na值 较大，其连接P基底，目的是提高了寄生 MOS 管的开启电压，利用反向用来控制表面的漏电流。 MOS管二阶效应 场区是由一层很厚的SiO2形成的,多晶硅或铝线在场氧化区上面穿过，其Cox很小，开启电压VT VDD不会产生寄生MOS管。 场注入 结论: 一个很厚