化合物半导体学习资料.ppt

;在这个堪称最高水平的精密制造产业，中国正在爆发！ ; Si为代表的，第一代半导体材料 GaAs为代表的，第二代半导体材料 SiC及GaN为代表的宽禁带材料，第三代半导体材料。包括材料本身和器件开发，仍在发展中。;化合物半导体材料;; 所谓III-V族化合物材料，应包括所有的三族元素（B、Al、Ga、In、Tl）和五族元素（N、P、As、Sb、Bi）结合而成的化合物，人们先后开展研究的有十几种。其中作为电子信息材料研究、应用较多的有GaSb、InAs、InSb、GaN、GaP、GaAs、InP 等几种。 GaSb、InAs、InSb 几种材料主要用于制作红外光电器件和霍尔器件等，相对来说，市场总量较小，发展前景受到限制。 GaP 材料属于间接带隙半导体，主要用于生产中、低亮度的发光管（LED），这一领域市场比较成熟，竞争十分激烈，并呈现逐步被GaAs 基高亮度、超高亮度LED 取代的趋势，发展前景不容乐观。 GaAs、InP 材料由于自身的固有优点，在微电子、光电子领域同时具有重要应用，成为III-V族化合物半导体材料的主要代表。;常见的III-V化合物半导体;晶体结构;III-V族化合物半导体性质;GaAs半导体;InP半导体;InP特性;随着半导体材料的单晶制备及外延技术的发展和突破， 并基于以下几方面原因，宽带隙半导体材料应运而生。 ;近年来，随着半导体器