半导体制造工艺课件三.pptVIP

半导体制造工艺 ;微电子学： Microelectronics 微电子学——微型电子学 核心——半导体器件;半导体器件设计与制造的主要流程框架;;沟道长度为0.15微米的晶体管; 50?m;N沟道MOS晶体管;CMOS集成电路(互补型MOS集成电路)：目前应用最为广泛的一种集成电路，约占集成电路总数的95%以上。;;半导体制造工艺;图形转换：光刻;光刻;正胶：曝光后可溶 负胶：曝光后不可溶;图形转换：光刻;三种光刻方式;图形转换：光刻;图形转换：刻蚀技术;图形转换：刻蚀技术;干法刻蚀;杂质掺杂;扩 散;杂质横向扩散示意图;固态源扩散：如B2O3、P2O5、BN等;利用液态源进行扩散的装置示意图;离子注入;离子注入系统的原理示意图;离子注入到无定形靶中的高斯分布情况;退 火;氧化工艺;氧化硅层的主要作用;SiO2的制备方法;进行干氧和湿氧氧化的氧化炉示意图;化学汽相淀积(CVD);化学汽相淀积(CVD);APCVD反应器的结构示意图; LPCVD反应器的结构示意图;平行板型PECVD反应器的结构示意图;化学汽相淀积(CVD);化学汽相淀积(CVD);物理气相淀积(PVD);蒸发原理图;;半导体工艺;集成电路制造工艺 ;20世纪60年代的典型工艺;20世纪70年代的典型工艺;20世纪80年代的典型工艺;N-well CMOS 工艺;热氧化生成SiO2； 第一次光刻：打开N阱离子注入窗口； 进行N阱的离子注入与二次扩散； 刻蚀氧化物；;热氧化生成SiO2缓冲层； CVD淀积Si3N4； 第二次光刻：定义有效沟道区域； 氮化硅刻蚀； 氧化层刻蚀；;热氧化生成场氧； 氮化硅刻蚀； 缓冲层刻蚀； 清洗表面； 阈值电压调整的离子注入； 栅氧生长； ;;第四次光刻：打开N+区的离子注入窗口； 磷注入；;光刻胶掩蔽条； 第五次光刻：P+区离子注入；;光刻胶掩蔽条； CVD淀积SiO2； 离子注入退火；;第六次光刻：接触孔刻蚀；;金属Al淀积； 第七次光刻：生成金属化图形；;课程设计作业一;课程设计作业一;;形成N阱 初始氧化 淀积氮化硅层 光刻1版，定义出N阱 反应离子刻蚀氮化硅层 N阱离子注入，注磷;;;;Salicide工艺 淀积多晶硅、刻蚀并形成侧壁氧化层； 淀积Ti或Co等难熔金属 RTP并选择腐蚀侧壁氧化层上的金属； 最后形成Salicide结构;;形成N管源漏区 光刻，利用光刻胶将PMOS区保护起来 离子注入磷或砷，形成N管源漏区 形成P管源漏区 光刻，利用光刻胶将NMOS区保护起来 离子注入硼，形成P管源漏区;;;;;;;双极集成电路制造工艺;;制作埋层 初始氧化，热生长厚度约为500～1000nm的氧化层 光刻1#版(埋层版)，利用反应离子刻蚀技术将光刻窗口中的氧化层刻蚀掉，并去掉光刻胶 进行大剂量As+注入并退火，形成n+埋层;;;;;;;;金属化 淀积金属，一般是铝或Al-Si、Pt-Si合金等 光刻6#版(连线版)，形成金属互连线 合金：使Al与接触孔中的硅形成良好的欧姆接触，一般是在450℃、N2-H2气氛下处理20～30分钟 形成钝化层 在低温条件下(小于300℃)淀积氮化硅 光刻7#版(钝化版) 刻蚀氮化硅，形成钝化图形;隔离技术;PN结隔离工艺;绝缘介质隔离工艺;LOCOS隔离工艺;LOCOS隔离工艺;沟槽隔离工艺;接触与互连;几个概念 场区 有源区 栅结构材料 Al-二氧化硅结构 多晶硅-二氧化硅结构 难熔金属硅化物/多晶硅-二氧化硅结构;Salicide工艺 淀积多晶硅、刻蚀并形成侧壁氧化层； 淀积Ti或Co等难熔金属 RTP并选择腐蚀侧壁氧化层上的金属； 最后形成Salicide结构;封装工艺流程;各种封装类型 示意图; 半导体工艺小结; 半导体工艺小结; 半导体工艺小结