加热制程工艺概论.pptVIP

;目标;主题;定义;简介;集成电路制程流程;;水平式炉管;;;;源气柜;氧化的氧来源;扩散源;沉积源;退火源;排气系统;装载晶圆, 水平式系统;装载晶圆, 垂直式系统;热制程对温度相当的敏感 必要的精密温度控制 ?0.5 °C,中央区带 ?0.05%在 1000 °C;温度控制系统;反应室;水平式高温炉;;石英炉管;石英管清洗;碳化硅管;温度控制反-弯曲 法;水平式高温炉;水平高温炉;高温炉;垂直石英炉;;较小的占地空间;较好的污染物控制;较好的晶圆控制;硬件设备综述;氧化;氧化;简介;;硅元素的事实;氧的一些事???;氧化的应用;扩散的阻挡;表面钝化的应用;;;衬垫氧化层的应用;组件绝缘的应用;;;硅的局部氧化;牺牲氧化层的应用;组件介电质的应用;80年代至今;不当清洗的硅表面上生成的二氧化硅结构;;美国无线电公司(RCA)的清洗;高纯度去离子水或是去离子水清洗后使用H2SO4:H2O2 溶液. 在去离子水洗涤, 旋干 且 / 或 烘干 (100到 125 °C)后，以高压净化或浸在加热的浸泡槽中，.;强氧化剂可以移除有机残留的污染物. 去离子水清洗后，使用H2SO4:H2O2 或NH3OH:H2O2溶液 在以去离子水洗涤, 旋干 且 / 或 烘干 (100 到 125 °C)后，以高压净化或浸在加热的浸泡槽中. ;HCl:H2O. 在去离子水洗涤, 旋干 且 / 或 烘干 (100 到 125 °C)后，浸在加热的浸泡槽中. ;HF:H2O. 在以去离子水洗涤, 旋干 且 / 或 烘干 (100 到 125 °C)之后，浸在加热的浸泡槽中或单晶硅蒸气蚀刻. ;氧化反应机构;;100硅干氧氧化反应;湿 (蒸氣)氧氧化反应;100硅 湿氧 氧化反应;影响氧化速率的因素;氧化速率温度;氧化速率晶圆方位;湿氧氧化速率;氧化速率掺杂物浓度;;;;;氧化前的清洗;氧化制程;;干氧氧化;匣极氧化层的步骤;悬浮键引起的界面状态电荷;匣极氧化层的步骤(续);湿氧氧化制程;水蒸气源;;;;;氢氧燃烧蒸气系统;燃烧蒸气湿氧氧化系统;湿氧氧化制程步骤;湿氧氧化制程步骤;次微米深度组件的匣极氧化层 非常薄的氧化薄膜, 30 ? 在高温时有较佳的温度控制,晶圆内以及晶圆对晶圆的均匀性. 为达到组件的需求使用快速加热氧化制程.;;高压氧化;高压氧化系统示意图;高压氧化;高压氧化;高压氧化;测量氧化层;;;C-V测试结构;氧化层概要;扩散;扩散;;;接面深度的定义;扩散;扩散;热积存;;1mm;扩散掺杂制程;扩散掺杂制程;扩散掺杂制程;扩散掺杂制程;;;;;;;;;;五氧化二磷氧化沉积和覆盖氧化反应;驱入;;非晶硅驱入;限制与应用;扩散的应用: 驱入;;利用硼的扩散在超浅接面形成的制程;表面清洗;硼硅玻璃化学气相沉积法;;剥除硼硅玻璃;掺杂的量测;四点探针测量;扩散的概要;退火和快速加热制程;布植后退火;布植后退火;;;;;合金热处理;金属硅化物;钛金属硅化物制程;钛金属硅化物制程;铝硅合金;;再流动;PSG再流动制程说明;再流动;再流动制程;再流动制程;再流动制程;退火概要;退火概要;退火概要;高温沉积制程;什么是化学气相沉积;高温化学气相沉积;外延;外延硅;外延硅;外延硅沉积;外延硅掺杂;外延硅掺杂;外延硅;多晶硅;;多晶硅;多晶硅沉积;多晶硅掺杂;多晶硅掺杂;硅烷制程与温度的关系;硅烷制程的温度与晶体结构;多晶硅低压化学气相沉积系统;多晶硅沉积制程;多晶硅沉积制程;多晶硅沉积系统;多晶硅沉积系统;氮化硅;氮化硅的应用;;;;;;光阻剥除;Ti/TiN沉积 和 钨;化学机械研磨 钨 和TiN/Ti;氮化硅的应用;氮化硅沉积;氮化硅的LPCVD系统示意图;氮化硅沉积制程流程图;高温化学气相沉积法的未来趋势;高温炉沉积概要;快速加热制程;快速加热制程(RTP);快速加热制程(RTP);;加热灯管数组;快速加热制程(RTP)反应室;退火和掺杂物扩散;退火和掺杂物扩散;退火速率和扩散速率;退火后掺杂物扩散;RTP比高温炉的优势;RTP制程温度的改变;热氮化反应;;快速加热氧化制程;RTP /RTO制程示意图;未来的趋势;RTCVD反应室;RTP温度和高温炉;群集工具示意图;快速加热制程的概要;加热制程概要