用模拟法描绘静电场.docxVIP

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2019年用模拟法描绘静电场    篇一:用模拟法测绘静电场 ?    实验7用模拟法测绘静电场 ?    概述: ?    模拟法本质上是一种易于实现、便于测量的物理状态或过程来模拟另一种不易实现、不便测量的状态和过程,要求这两种状态或过程有一一对应的两组物理量,且满足相似的数学形式及边界条件。 ?    一般情况,模拟可分为物理模拟和数学模拟,对一些物理场的研究主要采用物理模拟(物理模拟就是保持同一物理本质的模拟),例如用光测弹性模拟工件内部应力的分布等。数学模拟也是一种研究物理场的方法,它是把不同本质的物理现象或过程,用同一个数学方程来描绘。对一个稳定的物理场,若它的微分方程和边界条件一旦确定,其解是唯一的。两个不同本质的物理场如果描述它们的微分方程和边界条件相同,则它们的解是一一对应的,只要对其中一种易于测量的场进行测绘,并得到结果,那么与它对应的另一个物理场的结果也就知道了。由于稳恒电流场易于实现测量,所以我们用稳恒电流场来模拟与其具有相同数学形式的不便于测量的静电场。 ?    一、目的要求 ?    本实验用稳恒电流场分别模拟长同轴圆形电缆的静电场、劈尖形电极和聚焦。平行导线形成的静 ?    电场。具体要求达到: ?    1、学习用模拟方法来测绘具有相同数学形式的物理场; ?    2、描绘出分布曲线及场量的分布特点; ?    3、加深对各物理场概念的理解; ?    4、初步学会用模拟法测量和研究二维静电场。 ?    二、仪器设备: ?    HLD-DZ-IV型静电场描绘实验仪。 ?    三、原理 ?    (以模拟长同轴圆柱形电缆的静电场为例) ?    稳恒电流场与静电场是两种不同性质的场,但是它们两者在一定条件下具有相似的空间分布,即两种场遵守规律在形式上相似,都可以引入电位U,电场强度E=-▽U,都遵守高斯定律。对于静电场,电场强度在无源区域内满足以下积分关系?E??0 ?    SC?E??0 ?    ?对于稳恒电流场,电流密度矢量j在无源区域内也满足类似的积分关系 ?    ??j?ds?0j?dl?0 ?    Sl ?    由此可见E和j在各自区域中满足同样的数学规律。在相同边界条件下,具有相同的解析解。因此,我们可以用稳恒电流场来模拟静电场。 ?    在模拟的条件上,要保证电极形状一定,电极电位不变,空间介质均匀,在任何一个考察点,均应有“U稳恒=U静电”或“E稳恒=E静电”。下面具体本实验来讨论这种等效性。 ?    1、同轴电缆及其静电场分布 ?    如图7.1(a)所示,在真空中有一半径为ra的长圆柱形导体A和一内半径为rb的长圆筒形导体B,它们同轴放置,分别带等量异号电荷。由高斯定理知,在垂直于轴线的任一载面S内,都有均匀分布的辐射状电场线,这是一个与坐标Z无关的二维场。在二维场中,电场强度E平行于xy平面,其等位面为一簇同轴圆柱面。因此只要研究S面上的电场分布即可。?? ?    图7.1同轴电缆及其静电场分布 ?    由静电场中的高斯定理可知,距轴线的距离为r处(见图7.1b)各点电场强度为E? ?    式中?为柱面每单位长度的电荷量,其电位为?2??0r ?    ???rUr?Ua??E?dr?Ua?lnra2??0rar ?    设r=rb时,Ub=0,则有U??arb2??0la ?    rb ?    Ua1dUr代入上式,得Ur?UaE???.rrbrbrdrlnlaraln ?    2、同柱圆柱面电极间的电流分布 ?    若上述圆柱形导体A与圆筒形导体B之间充满了电导率为?的不良导体,A、B与电流电源正负极相连接(见图7.2),A、B间将形成径向电流,建立稳恒电流场Er,可以证明在均匀的导体中的电场强度Er与原真空中的静电场Er的分布规律是相似的。 ?    取厚度为t的圆轴形同轴不良导体片为研究对象,设材料电阻率为?(??1/?),则任意半径r到r+dr的圆周间的电阻是 ?    dR??. ?    则半径为r到rb之间的圆柱片的电阻为drdr?dr??.?.s2?rt2?tr ?    rb ?    Rrrbrb?dr???ln?2?trr2?tr ?    图7.2同轴电缆的模拟模型 ?    总电阻为(半径ra到rb之间圆柱片的电阻)Rrarb?r?lnb2?tra ?    设Ub=0,则两圆柱面间所加电压为Ua,径向电流为I?Ua?2?tUarRrarb?lnb ?    ra ?    距轴线r处的电位为U?IRrrrbrbUa1dUr则为E???

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