西工大-大学物理-量子物理.ppt

(2) p 型半导体 空穴 杂质能级 价带 受主能级 10-2 eV Si+1 B 3. pn 结 pn 结中的电场和电势差 p区能带升高，n区能带降低，形成势垒 (1) pn 结中的电场和势垒 pn结中电场减弱，势垒降低，电子、空穴扩散容易，形成正向宏观电流，并随电压变化。 pn结中电场增强，势垒增高，电子、空穴扩散困难，形成很小的反向电流。 (2) pn结中电流和外加电压的关系 正向电压 E 反向电压 E 10 20 30 10 20 0. 4 0. 8 20 30 pn 结单向导电性 pn 结伏安特性曲线 U / V I / mA 正向 反向 击穿电压 §16.11 激 光 主要内容： 1. 自发辐射受、激辐射和受激吸收 2. 粒子数反转和光放大 3. 激光器的基本构成及激光的形成 4. 激光的纵模和横模 5. 激光的特性及应用 16.11.1 自发辐射受、激辐射和受激吸收 自发辐射 自发辐射系数 E2 E1 E2 E1 受激辐射 受激辐射系数 受激吸收 受激吸收系数 E2 E1 自发辐射 受激辐射 光波的频率 相位偏振态 无关 全同 一般情况下 16.11.2 粒子数反转和光放大 受激吸收 受激辐射 自发辐射 介质中的光强 I - kN1 IB + kN2 IB 忽略 光强变化 （介质处于粒子数反转态，则光在其中传播时得以放大） 在通常情况下，介质