纳米薄膜应用.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 化学气相沉积最突出的特点是沉积工艺温度太高（一般900~1200℃） 降低一般CVD法的沉积温度，一直是CVD法改进提高的重要方向。 金属有机化合物CVD(MOCVD), 通过金属有机化合物在较低温度的分解来实现低温沉积. 等离子体增强CVD(PECVD) 以及激光CVD(LCVD)中气相化学反应由于等离子体的产生或激光的辐照得以激活，将反应温度降低，可实现低温沉积。 如用TiCl4和CH4在加热活化沉积TiC涂镀层是在900~1050℃，而给同样的工艺路线采用等离子活化，可降低沉积温度至500~600℃，这样就可沉积制备带有涂镀层的高速钢刀具； 用CO2激光来激发反应气体BCl3，可使硼化物的沉积温度降低，而且沉积速率提高。 * * CVD的新技术 金属有机化合物气相沉积(MOCVD) 等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)以及微波等离子体化学气体沉积(MWPECVD 激光化学气相沉积(LCVD) 纳米薄膜的低能团簇束沉积(LEBCD) * * (1) 金属有机化合物气相沉积(MOCVD) MOCVD是使用容易分解的金属有机化合物作初始反应物， 因此沉积温度较低。MOCVD的优点是可以在热敏感的基体上进行沉积；其缺点是沉积速率低，晶体缺陷密度高，膜中杂质多。在这种技术中，把欲沉积膜层的一种或几种组分以金属烷基化合物的形式输送到反应区，而其他的组分可以氢化物的形式输送。其他的初始反应物，如氯置换的金属烷基化合物或配位化合物也可采用。 MOCVD技术的开发是由于半导体外延沉积的需要。已经用金属有机化合物沉积了氧化物、氮化物、碳化物和硅化物膜层。 许多金属有机化合物在中温分解，可以沉积在各种基体上，所以这项技术也被称为中温CVD(MTCVD)。 * * (2)等离子体辅助化学气相沉积(PECVD) 用等离子体技术使反应气体进行化学反应，在基底上生成固体薄膜的方法。 PECVD薄膜反应室主要有平板电容型和无极射频感应线圈式两种。平板型又可分为直流、射频、微波电源三种。 与基于热化学的CVD法相比较：PECVD法可以大大降低沉积温度，从而不使基板发生相变或变形，而且成膜质量高。 用CVD法在硅片上沉积Si3N4薄膜，需要900℃以上的高温，而PECVD法仅需约350 ℃温度，如采用微波等离子体，可降至100 ℃ 。 利用辉光放电等离于体化学气相沉积法，在柔软的有机树脂上沉积一层非晶硅薄膜，宛如人的皮肤，能自由变形，可用于高灵敏度的压力传感器探测元件。 * * (3)激光化学气相沉积(LCVD) 激光化学气相沉积(LCVD)是通过激光活化反应而使常规CVD技术得到强化，工作温度大大降低，在这个意义上LCVD类似于PECVD。 LCVD技术是用激光束照射封闭于气室内的反应气体，诱发化学反应，生成物沉积在置于气室内的基板上。 常规CVD法需要对基板进行长时间的高温加热，因此不能避免杂质的迁移和来自基板的自掺杂。LCVD的最大优点在于沉积过程中不直接加热整块基板，可按需要进行沉积，空间选择性好，甚至可使薄膜生成限制在基板的任意微区内；沉积速度比CVD快。 * * LCVD和PECVD制备薄膜比较 LCVD PECVD 窄的激发能量分布 宽的激发能量分布 完全确定的可控的反应体积 大的反应体积 高度方向性的光源可在精确的位置上进行沉积 可能产生来自反应室壁的污染 气相反应减少 气相反应有可能 单色光源可以实现特定物质的选择性激发 传统等离子体技术的气态物质激发，无选择性 能在任何压强进行 在限定的（低的）气压下进行 辐射损伤显著下降 绝缘膜可能受辐射损伤 光分解LCVD中，气体和基体的光学性能重要 光学性能不重要 * * (4)纳米薄膜的低能团簇束沉积(LEBCD) 低能团簇束沉积是新近出现的一种纳米薄膜制备技术。该技术首先将所沉积材料激发成原子状态，以Ar、He作为载气使之形成团簇，同时采用电子束使团簇离化。利用飞行时间质谱仪进行分离，从而控制一定质量、一定能量的团簇束沉积而形成薄膜。 目前的研究工作表明这一技术可以有效地控制沉积在衬底上的原子数目。 与薄膜生长的经典理论相比较，在这种条件下所沉积的团簇在撞击表面时并不破碎，而是近乎随机分布于表面。当团簇的平均尺寸足够大，则其扩散能力受到限制。所沉积薄膜的纳米结构对团簇尺寸具有很好的记忆特性。 * * CVD法在纳米薄膜材料制备中的应用 CVD法是纳米薄膜材料制备中使用最多的一种工艺，用它可以制备几乎所有的金属，氧化物、氮化物、碳化合物、硼化物、复合氧化物等膜材料，广泛应用于各种结构材料和功能材料的制备。 * * 纳米薄膜