现代CMOS工艺基本流程课件 .ppt

现代CMOS工艺 ;知识回顾;工艺集成;工艺集成;工艺的选择;一、集成电路中器件的隔离;LOCOS 隔离;LOCOS隔离工艺;LOCOS隔离工艺;二、金属化与多层互连 ; 接触材料：直接与半导体接触，并提供与外部相连的连接点。铝是一种常用的接触材料，但目前应用较广泛的接触材料是硅化物，如铂硅(PtSi)和钴硅(CoSi2)等。 集成电路中使用的金属材料，除了常用的金属如Al，Cu，Pt，W等以外，还包括重掺杂多晶硅、金属硅化物、金属合金等金属性材料。;2.1、集成电路对金属化材料特性的要求; 1.1 铝是一种经常被采用的金属互连材料，主要优点是: 在室温下的电阻率仅为2.7μΩ·cm； 与n+、p+硅或多晶硅的欧姆接触电阻可低至10-6Ω/cm2； 与硅和磷硅玻璃的附着性很好； 经过短时间热处理后，与SiO2、Si3N4等绝缘层的黏附性很好； 易于淀积和刻蚀。;Al/Si接触中的几个物理现象;(2) Al与SiO2的反应 Al与SiO2反应对于Al在集成电路中的应用十分重要： Al与Si接触时，可以“吃”掉Si表面的自然氧化层，使Al/Si的欧姆接触电阻降低； Al与SiO2的作用改善了集成电路中Al引线与下面SiO2的黏附性。;Al/Si接触中的尖楔现象; 1、 Al-Si合金 金属化引线 为了解决Al的尖楔问题，在纯Al中加入硅至饱和，形成Al-Si合金，代替纯Al作为接触和互连材料。但是，在较高合金退火温度时溶解在Al中的硅，冷却过程中又从Al中析出。硅从Al-Si合金薄膜中析出是Al-Si合金在集成电路中应用的主要限制: 2、铝- 掺杂多晶硅双层金属化结构 淀积铝薄膜之前，先淀积一层重磷或重砷掺杂的多晶硅薄膜，构成Al-重磷(砷)掺杂多晶硅双层金属化结构。 Al - 掺杂多晶硅双层金属化结构已成功地应用于nMOS工艺中。 3、铝-阻挡层结构 在铝与硅之间淀积一个薄金属层，替代重磷掺杂多晶硅层，阻止铝与硅之间的作用，从而抑制Al尖楔现象。这层金属称为阻挡层。 为了形成好的欧姆接触，一般采用双层结构，硅化物作为欧姆接触，TiN、TaN或WN作为阻挡层。;2.2.2 Cu作为互连材料; 利用溅射和CVD方法对沟槽和通孔进行金属Cu的填充淀积时，容易形成孔洞，抗电迁移能力差。因此在Cu互连集成工艺中，向通孔和沟槽中填充Cu的工艺，目前普遍采用的是具有良好台阶覆盖性、高淀积速率的电镀或化学镀的方法。 电镀法 在电镀法填充Cu的工艺中，一般是采用CuSO4与H2SiO4的混合溶液作为电镀液，硅片与外电源的负极相接，通电后电镀液中的Cu2+由于受到负电极的作用被Cu籽晶层吸引，从而实现了Cu在籽晶层上的淀积。 为了保证高可靠性、高产率及低电阻的通孔淀积，通孔的预清洁工艺、势垒层和籽晶层的淀积工艺，通常需要在不中断真空的条件下、在同一个淀积系统中完成。 ; 化学镀与电镀工艺不同的是无需外接电源，它是通过金属离子、还原剂、复合剂、pH调节剂等在需要淀积的表面进行电化学反应实现Cu的淀积。 Cu-CVD工艺 尽管利用CVD方法向通孔和沟槽中填充Cu，可靠性比较差，但与电镀或化学镀工艺相比，采用CVD方法与CMOS工艺有更好的工艺兼容性。 因此，优化Cu-CVD工艺，发展无空洞的厚膜淀积工艺，是Cu-CVD工艺的一个重要研究内容。;;三、平坦化; 可以采用一些简单的方法改善硅片表面的平整度。 例如，对真空蒸发来说，改善台阶覆盖的方法，是使用行星旋转式真空淀积装置，通过蒸发源和衬底相对方向的连续改变，有效地消除蒸发死角，从而增加淀积率的均匀性。 也可采用磷硅玻璃(PSG)或硼磷硅玻璃(BPSG)回流，使锐利的台阶变得平滑，大大改善台阶覆盖状况。; 图(a)是没有平坦化图形； 图(b)是第一类平坦化技术，只是使锐利的台阶改变为平滑，台阶高度没有减小； 图(c)是第二类平坦化技术，可以使锐利的台阶变为平滑，同时台阶高度减小。 通过再淀积一层半平坦化的介质层作为覆盖层，即可达到这种效果，如在多晶硅上淀积BPSG；; 图(d)是第三类平坦化技术，是使局域达到完全平坦化，使用牺牲层技术可以实现局域完全平坦化； 图(e)是第四类平坦化技术，是整个硅片表面平坦化，化学机械抛光(CMP)方法就是可实现整个硅片平坦化的方法。;四、CMOS工艺;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;略有不同的另一个工艺流程;实验一;实验二 光刻工艺（4学时）;什么是MEMS;各个国家不同的定义;什么是微型机电系