阎石第五版第七章 第一讲.pptVIP

存储单元 读出时，字线加+5V电压，VSS=0 若浮栅上没有充电，管子导通，Di=0。 若浮栅上已充电，开启电压不足7V，管子截止，Di=1。 写1时，UDS=6V，UGC==12V，DS间发生雪崩击穿，浮栅充电。 擦除时，VSS=12V，UGC=0V，浮栅与源区间极小的重叠重叠部分产生隧道效应，浮栅电荷放电。 放电后开启电压降低为2V。 常用的E2PROM存储器有: 2816、2864、2817。 常用的EPROM存储器有: 2716、2764。 五、 典型ROM芯片举例 1．EPROM——2764 2．E2PROM 2816A Intel 2816A 是2K×8位E2PROM，数据读出时间为200～250nS，擦除和写入（同时进行）为10mS，读工作电压和写（擦）工作电压均为5V，故不需要专门的编程器，且可实现在线读写。 （1）引脚功能——有11根地址A10～A0，8根数据输入输出线I/O7～I/O0，片选线CE’，输出允许线OE’，写允许线WE’，工作电源Vcc。 （2）工作方式——7种工作方式 ROM的新发展 非易失随机存储器NVRAM（Non Volatile RAM） ——是一种非易失性的随机读写存储器，它既能快速存取，断电时又不会丢失数据，所以同时具有RAM和ROM的优点。 复习与回顾 1、半导体存储器定义及分类 2、只读存储器特点及分类 3