磁阻效应大物实验教学内容.pptVIP

磁阻效应;一、实验背景 导电材料的电阻值R随磁感应强度B变化这样一个规律，称为磁阻效应。利用磁阻效应制成的器件叫做磁阻器件。 磁阻器件有很多的优点：体积小、灵敏度高、抗干扰能力强等等。在导航、电流检测、磁性编码等方面有着十分广泛的应用。 ;三、实验原理 如图：一半导体薄片放在磁感应强度为B的磁场中，（B的方向沿Z轴方向）在薄片的y轴方向通正向电流I，半导体的载流子将受洛仑兹力的作用发生偏转，在x方向积聚电荷产生霍尔电场。 根据霍尔效应，当霍尔电场作用和载流子的洛仑兹力作用刚好抵消qE=qvB，也就达到了稳定状态。此时满足：E=vB，E－霍耳电场，v－载流子的速度，B－磁感强度。 载流子的速度并不都一样，而是满足一定的统计分布，这里的v仅仅是一个最可几的速率。那么小于或大于该速度的载流子将向D或Dˊ偏转，这种偏转??会使得沿外加电场方向（y方向）运动的载流子数量减少，从而电阻增大，这种现象称为磁阻。; 磁阻效应通常用电阻率的相对变化量Δρ /ρ（0） 或电阻的相对变化量ΔR/R（0）来表示其大小。 通过实验可以证明，在一般情况下当金属或半导体处于较弱磁场中时，磁电阻的ΔR/R（0）正比于B的二次方，而在强磁场中ΔR/R（0）与B呈线性函数关系。 如果磁阻传感器处于角频率为ω的弱正弦交流磁场中，由于 磁电阻的相对变