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晶体三极管及其开关应用 成继勋 2010年8月 内容提要 双极型晶体三级管 类型 伏安特性 主要参数 开关应用 光耦电路 场效应晶体三极管 类型 输出特性和转移特性 主要参数 热阻、功耗(热流量)和温差(升) 开关应用 双极型晶体三级管的类型 材料：锗germanium，硅silicon 结构（极性）PNP、NPN 生产工艺：合金型、平面（扩散）型、外延型 应用特性： 小功率（＜0.5W）、中功率（0.5~5W）、大功率（≥5W） 低频、高频、超高频 通用目的、开关、高压等 双极型晶体三级管伏安特性 共发射极输入ube-ib伏安特性，类似二极管伏安特性 共发射极输出特性：uce-ic伏安特性（ib为参变量） 放大区 ：发射结为正向偏置（大于PN结的导通电压ubeon ）、集电结为反向偏置的工作区域为放大区，对NPN硅管，ube≥ ubeon（约0.5~0.6V）， uce ≥ ube 。 双极型晶体三级管伏安特性 放大区有以下两个特点： 基极电流对集电极电流有很强控制作用； 恒流特性 iC基本上不随uCE变化，即对uCE变化而言， iC具有恒流性 饱和区：发射结为正向偏置（大于PN结的导通电压ubeon ） 、集电结也正向偏置的工作区域 对NPN硅管，ube≥ ubeon（约0.7V）， uce ≤ ube 截止区：发射结为反向偏置（实际上只需小于PN结的导通电压ubeon ） 、集电结也反向偏置的工作区域 击穿区： uce u(BR)CEO 双极型晶体三级管主要参数极限参数 集电极-基极（反向）电压Vcbo，下标o表示第三个电极开路。 集电极-发射极（反向）电压Vceo，低于Vcbo 发射极-基极（反向）电压Vebo，一般为4~6V 集电极电流Ic（DC或连续） 集电极电流Icp（脉冲峰值，规定脉宽和占空比，例如300μs,2%） 基极电流Ib 集电极功率耗散Pc（或器件总功率耗散PD） 环境温度25℃,可带散热器的中、大功率管同时规定壳温25℃时的Pc；表贴管一般规定PCB面积,大功率管可能规定散热器面积(注意注释内容) 同时规定大于25℃时的降额（W/ ℃) 结温Tj，硅管一般为150 ℃，少数200 ℃ 热阻，结到环境,结到外壳。 储存温度范围：一般-55~150 ℃，少数至200 ℃ 双极型晶体三级管主要参数电气特性（环境温度25 ℃）注意测试条件不同的参数给出最小值和/或典型值和/或最大值 关态特性 集电极-基极（反向）击穿电压BVcbo，e极开路即Ie=0，规定Ic（例如100μA）。 集电极-发射极（反向）击穿电压BVceo， b极开路即Ib=0 ，规定Ic（例如1mA），开关管常规定Icp（例如300μs,2%,10mA)。 发射极-基极（反向）击穿电压BVebo， c极开路即Ic=0 ，规定Ie（例如10μA） 由于相应的3个极限参数与以上3个参数的最小值相同，故有时不再列出 集电极（反向）截止电流Icbo， e开路，规定Vcb 温度影响：硅管每升高8℃，增加1倍，锗管每升高12℃，增加1倍 *集电极截止电流Iceo （穿透电流）， b开路，规定Vce。（近似 Iceo= Icbo×hFE） *集电极截止电流Ices （穿透电流）， be短路，规定Vce。 Iceo＞ Ices 发射极（反向）截止电流Iebo， e开路，规定Veb 双极型晶体三级管主要参数电气特性（环境温度25 ℃） 开态特性 直流电流增益 hFE ，规定 Vce, Ic 集电极-发射极饱和电压Vce（sat），规定Ib和Ic（一般Ic=10 Ib ）开关管常规定为脉冲测试（300μs,2%)。 基极-发射极饱和电压Vce（sat），规定Ib和Ic或者Vce和Ic。开关管常规定为脉冲测试（300μs,2%) 小信号（交流）特性 小信号（交流）电流增益hfe ，规定Vce、Ic和信号频率 特征频率fT(即小信号电流增益带宽积，或小信号电流增益降为1时的频率) 输出电容Cobo，规定Vcb，e开路，规定测试频率 输入电容Cibo，规定Veb，c开路，规定测试频率 噪声系数NF 双极型晶体三级管主要参数电气特性（环境温度25 ℃） 开关特性（一般只有开关管才列出） 延迟时间td 晶体管截止，基极加正偏电压时,发射区的电子进入空间电荷区,使空间电荷区变窄，然后发射区开始向基区发射电子，晶体管开始导通。这个过程所需要的时间称为延迟时间。 上升时间tr 经过延迟时间td后，发射区不断向基区注入电荷，电荷在基区积累，并向集电区扩散，形成集电极电流iC。随着基区电荷浓度的增加，iC不断增大。iC上升到最大值的90