微细加工与MEMS技术-7-光学光刻.ppt

* 第 7 章 光学光刻 光刻 曝光 刻蚀 光源 曝光方式 7.1 光刻概述 评价光刻工艺可用三项主要的标准：分辨率、对准精度 和生产效率。 涂光刻胶（正） 选择曝光 光刻工艺流程 显影（第 1 次图形转移） 刻蚀（第 2 次图形转移） 光源 紫外光（UV） 深紫外光（DUV） g 线：436 nm i 线：365 nm KrF 准分子激光：248 nm ArF 准分子激光：193 nm 极紫外光（EUV），10 ~ 15 nm X 射线，0.2 ~ 4 nm 电子束 离子束 有掩模方式 无掩模方式 （聚焦扫描方式） 接触式 非接触式 接近式 投影式 反射 折射 全场投影 步进投影 扫描步进投影 矢量扫描 光栅扫描 混合扫描 曝光方式 7.2 衍射 当一个光学系统中的所有尺寸，如光源、反射器、透镜、掩模版上的特征尺寸等，都远大于光源波长时，可以将光作为在光学元件间直线运动的粒子来处理。 但是当掩模版上的特征尺寸接近光源的波长时，就应该把光的传输作为电磁波来处理，必须考虑衍射和干涉。由于衍射的作用，掩模版透光区下方的光强减弱，非透光区下方的光强增加，从而影响光刻的分辩率。 7.3 调制传输函数和光学曝光 无衍射效应 有衍射效应 光强 定义图形的 调制传输函数 MTF 为 无衍射效应时，MTF = 1 ；有衍射效应时 ，MTF 1 。光栅的周期（或图形的尺寸）越小，则 MTF 越小；光的波长越短，则 MTF 越大。 图形的分辩率还要受光刻胶对光强的响应特性的影响。 理想光刻胶：光强不到临界光强 Dcr 时不发生反应，光强超过 Dcr 时完全反应，衍射只造成线宽和间距的少量变化。 Dcr D100 D0 实际光刻胶：光强不到 D0 时不发生反应，光强介于 D0 和 D100 之间时发生部分反应，光强超过 D100 时完全反应，使线条边缘出现模糊区。在一般的光刻胶中，当 MTF 0.4 时，图形不再能被复制。 7.4 光源系统 对光源系统的要求 1、有适当的波长。波长越短，曝光的特征尺寸就越小； 2、有足够的能量。能量越大，曝光时间就越短； 3、曝光能量必须均匀地分布在曝光区。 常用的 紫外光 光源是高压弧光灯（高压汞灯）。高压汞灯有许多尖锐的光谱线，经过滤光后使用其中的 g 线（436 nm）或 i 线（365 nm）。 　　高压汞灯的光谱线 120 100 80 60 40 20 0 200 300 400 500 600 Relative Intensity (%) h-lin 405 nm g-line 436 nm i-line 365 nm DUV 248 nm Emission spectrum of high-intensity mercury lamp 由于衍射效应是光学曝光技术中限制分辨率的主要因素，所以要提高分辨率就应使用波长更短的光源如 深紫外光。实际使用的深紫外光源有 KrF 准分子激光（248 nm）、ArF 准分子激光（193 nm）和 F2 准分子激光（157 nm）等。 深紫外光的曝光方式与紫外光基本相同，但需注意两点， 1、光刻胶 2、掩模与透镜材料 248 nm 波长的光子能量为 4.9 eV，193 nm 波长的光子能量为 6.3 eV ，而纯净石英的禁带宽度约为 8 eV。波长越短，掩模与透镜材料对光能的吸收就严重，造成曝光效率降低和掩模与透镜发热。 各种光学曝光光源的使用情况 1985 年以前，几乎所有光刻机都采用 g 线 (436 nm) 光源，当时的最小线宽为 1 ?m 以上 。1985 年以后开始出现少量 i 线(365 nm) 光刻机，相应的最小线宽为 0.5 ?m 左右。从 1990 年开始出现 DVU 光刻机，相应的最小线宽为 0.25 ?m 左右。从1992年起 i 线光刻机的数量开始超过 g 线光刻机 。截止到 1998 年 ，g 线、i 线和 DVU 光刻机的销售台数比例约为 1 : 4 : 2。而目前DVU 光刻机的销售台数已经超过 i 线光刻机。 7.5 接触式与接近式光刻机 一、接触式光刻机 Si U. V. Mask P. R. SiO2 优点：设备简单；理论上 MTF 可达到 1，因此分辨率比较