第三章_晶体生长2.ppt

内圆切割的优缺点： 优点： 技术成熟，刀片稳定性好，硅片表面平整度好。 缺点： 刀片厚度，在250-300μm左 右，也就是说约有一半的晶体硅的切片的速度慢、效率，切片后硅片的表面损伤大。 ②线切割 通过粘有金刚石颗粒的金属丝线的运动来达到切片的目的，如图4.20所示。 线切割的优缺点： 优点： ①效率高--每次切片250块以上（1台线切割机的产量=35台内圆切割机的产量）； ②耗材少--线切割的直径只有180μm； ③切割应力小，切割后表面损伤小。 缺点： ①硅片的平整度差； ②设备相对昂贵，维修困难。 晶体硅切割后，由于刀具的作用，在硅表面会有机械损伤层。 机械损伤层 碎晶层 位错网络区 弹性应变区 机械损伤层必须通过化学腐蚀予以去除。 从晶体生长看，连续加料直拉单晶硅技术可以节约时间、节约坩埚，但是，晶体生长设备的复杂度大大增加，也就是说设备的成本增加。因此，虽然连续加料生长直拉单晶硅的前景很好，但目前应用并不是很广泛。 太阳能用直拉三晶硅晶体生长 最近德国西门子公司发明了一种太阳电池用三晶硅晶体硅，其优点是其机械强度较普通直拉单晶硅高很多，因而在制备太阳电池的过程中，硅片的厚度可以被加工得很薄，达到150μm左右，从而单晶硅的成本有所降低。 三