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第九章 其它器件结构 2013011015 第十一周 9.1 引言 光伏半导体的基础是电子学不对称性 产生这种不对称性的方法有多种 除了经典p-n结外还有其它的一些器件结构 从最原始的光伏器件到今天的电池 9.2 同质结 pn结的两边是采用同一种材料，称为同质结 。传统的太阳能电池结构，仅掺杂剂不同。 除此外其它的同质结电池 第一种 高-低发射极（HLE）结构 第二种 前表面场电池 第三种 垂直结电池 表面制绒以减少反射 对于多晶硅材料的随机取向界面来说，化学刻蚀的效果很有限。于是，人们又研究了许多不同的制绒多晶硅的方案： 1）使用切割工具或激光在晶片表面进行机械制绒； 2）基于缺陷结构而不是晶面取向的各向同性化学刻蚀； 3）各向同性化学刻蚀与光刻掩模技术相结合； 4）等离子刻蚀。 虽然许多制绒多晶硅材料的方法都展示了相当大的前景，但是至今还没有一项被实施在大规模商业生产线中。 § 9.2 硅太阳能电池的制造技术 减反射膜 减反射膜非常有利于不容易制绒的多晶硅材料。二氧化钛（TiO2）与氮化硅（SiNx）是两种常见的减反射膜材料。膜的制造适用于简单的技术，如喷洒或化学气相沉积。除了有利于光的吸收外，绝缘膜还能够使表面钝化，提高电池的电学特性。依靠一种带有切割试剂的胶粘剂对减反射膜进行