摘要-昆山科技大学机构典藏.docVIP

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山科技大合作案告溅成氮化薄膜之光能分析合作商翔科技有限公司行期中民年月日至年行位山科技大工程系主持人林天行人良林政中民九十九年十月目摘要前言氮化的性反性中磁控原理磁控原理中流程膜成果考文附一附二附三摘要本研究利用中反性磁控技成氮化薄膜藉由改氮度固定底溅功率固定溅固定固定基板高度溅沉於玻璃上再利用光分析分析探不同氮度氮化薄膜透光性果示在同的程中著氮度增加其透光性越好一前言沉氮化薄膜的方法有化相沉法分子束磊晶成中磁控直流或交流磁控法在些沉薄膜方法中化相沉法是成族化合物最普遍的方法其沉速率快但因沉氮化

PAGE PAGE 12 崑山科技大學-產學合作計畫 結案報告 溅鍍成長氮化鋁薄膜之光學能譜分析 合作廠商:啟翔科技有限公司 執行期間: 中華民國98年10月1日至99年 計畫執行單位:崑山科技大學電機工程系 計畫主持人:林天財 計畫執行負責人:蘇良慶 林政頤 中華民國九十九年十月 目錄 摘要3 前言4 氮化鋁的結構與性質5 反應性中頻磁控濺鍍原理6 磁控濺鍍原理6 中頻濺鍍7 實驗流程8 AlN 鍍膜成長8 結果與討論10 結論11 參考文獻12 附錄(一)14 附錄(二)15 附錄(三)15 摘要 本研究利用中頻反應性磁控濺鍍技術成長氮化鋁薄膜,藉由改變氮氣

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