蓝宝石上高电子迁移率 AlGaN与GaN结构材料的研究.pptVIP

目录 李建飞 蓝宝石上高电子迁移率 AlGaN/GaN材料的研究 2. 样品介绍 4. 实验结果与分析 3. 实验内容 1. 霍尔测试 Hall效应系统 可测试材料：半导体、金属、超导体；薄膜和块状材料；单晶和多晶；单载流子和多载流子。 应用:测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、霍尔系数等重要参数。通过测量活动载流子的密度来检查掺杂效力。检查诸如：CVD和MBE的半导体生长系统的纯度。控制半导体生产中的质量。  1、霍尔效应 将一块半导体或导体材料，沿Z方向加以磁场B，沿X方向通以工作电流I，则在Y方向产生出电动势VH，如下图所示，这现象称为霍尔效应。 VH称为霍尔电压。 Hall效应系统 实验表明，在磁场不太强时，电位差与电流强度I和磁感应强度B成正比，与板的厚度d成反比，即 称为霍尔系数 洛仑兹力与电场作用力达到平衡时，我们能够得到 Hall效应系统 若N型单晶中的电子浓度为n，则流过样片横截面的电流 I=nebdV 所以 称为霍尔系数 称为霍尔元件的灵敏度 Hall效应系统 根据电位可以知道半导体的类型，是n型还是p型 如果霍尔元件的灵敏度已知，测得了控制电流和产生的霍尔电压，则可测定霍尔元件所在处的磁感应强度。 高斯计就是利用霍尔效应来测定磁感应强度B值的仪器。 Hall效应系统 载流子浓度。因RH=1/ne（或1/pe），故可以通过测定霍尔系数来确定半导体材料的载流子浓度n（或p）（n和p分别为电子浓度和空穴浓度）。 Hall效应系统 Hall效应系统 结合电导率的测量，求载流子的迁移率u 电导率与载流子浓度及迁移率之间有如下关系 由 可得 。 样品信息 AlGaN AlN GaN （Mg变量） 20nm GaN（500℃） 蓝宝石衬底（0001）C面 Mg 的GaN 外延层,以及AlN,AlGaN外延层 , 生长温度在 1000 ～1200℃之间,生长压力控制在5000～30000Pa之间 。 镁掺杂量分别为0 0.1 0.15μmol/min 样品信息 Al0.3Ga0.7N AlN（厚度d） 3μm GaN（高温） 20nm GaN（低温） 蓝宝石衬底 生长了A,B,C,D,E五个HEMT 样品 我们只是改变AlN 的厚度d, d 从分别为0 0.69 1.15 1.38 1.61 nm 实验内容 对于生长的Mg掺杂GaN材料和AlGaN/GaN 异质结材料 , 分别利用X射线双晶衍射、PL光谱、汞探针C--V和范德堡Hall进行了测试分析 。 实验结果与分析 本征GaN的黄光峰位于 573 nm,蓝光峰位置在441nm,而本征峰在362nm。 随着Mg掺杂的增加 , 黄光峰的峰位下降。 随着Mg掺杂的增加 , 蓝光峰的峰位上升。 382nm的峰增强。 Mg 掺杂对 G aN 缓冲层 P L 光谱的影响 实验结果与分析 Mg 掺杂对 G aN 缓冲层 P L 光谱的影响 黄光峰主要来源于GaN缓冲层中的Ga空位 , 蓝光峰来源于N空位。 当缓冲层中引入Mg杂质时,Mg原子替代Ga空位。 电子从导带下 N 空位的替位 Mg 原子的能级到价带上Ga空位的替位 Mg 原子的能级的跃迁引起。 是由于电子从 Mg 间隙原子能级到价带的跃迁引起。 实验结果与分析（其他文献） Mg 掺杂对 G aN 缓冲层 P L 光谱的影响 蓝带（424nm）是由独立的受主（MgGa）和离导带底430meV的深施主能级复合所产生的，其中深施主能级是指受主MgGa和临近的氮空位VN或其它杂质能级通过补偿形成的相应的复合体—MgGaVN.氮空位VN是MOVPE生长过程中高氮气平衡蒸气压下产生的缺陷，在1000C左右的生长温度下VN浓度很大。 实验结果与分析 Mg 掺杂对 G aN 缓冲层晶体质量的影响 随着Mg 掺杂的提高,非对称的 (102) 摇摆曲线半宽变宽,GaN峰的半宽从非掺杂的300增加到 380,穿透位错密度增加。 对称的(002) 摇摆曲线GaN峰的半宽从非掺杂的261增加到330秒, 螺旋位错和混合位错密度也增加 , 晶体质量明显变差。 Hall测试中随着Mg掺杂量的增加,晶体逐渐呈现高阻特性。 实验结果与分析 Mg 掺杂对 G aN 缓冲层 P L 光谱的影响 因为在Mg掺杂的过程中, 大部分Mg原子是以间隙原子的形式存在于晶体中, 由于 Mg 比Ga的原子半径大 , 在 Mg 替代Ga以后会引