第8章 物理气相淀积.pptVIP

溅射方法(Cont.)-磁控溅射优缺点 优点 一般溅射淀积的缺点：淀积速率较低；工作气压较高，对薄膜产生污染。 磁控溅射为淀积速率比一般方法高一个数量级；工作气压低，薄膜质量好。 缺点： 不能实现强磁性材料的低温高速溅射，因为几乎所用的磁通量都是通过磁性靶的，所以在靶附近不能外加强磁场； 靶的利用率较低（约30%），这是由于靶的侵蚀不均匀造成的。 溅射方法(Cont.) 反应溅射：淀积化合物(如TiN)氧化物、碳化物、氮化物、硫化物等。 溅射方法 （Cont.) 偏压溅射 在衬底与靶材之间加偏压，以改变入射到衬底表面的带电粒子的数量和能量； 带电粒子对表面的轰击可以提高淀积原子在薄膜表面的扩散和参加化学反应的能力，提高薄膜的密度和成膜能力，抑制柱状晶生长和细化薄膜晶粒等；还可改善薄膜中的气体含量； 为改善溅射沉积形成的薄膜组织及性能的最常用的而且也是最有效的手段之一。 溅射方法 （Cont.) 长投准直溅射技术 靶与硅片之间的距离很长，等离子体在低压下产生，小角度射出的原子几乎无碰撞以直线轨迹到达硅片表面。 问题：反应室室壁污染，远离硅片中心的通孔台阶覆盖不对称，低压下获得等离子体难。 溅射方法 接触孔中薄膜的溅射淀积 （深宽比大于一）溅射原子离开靶面时遵守余弦分布，故溅射原子在衬底表面和接触孔上表面的拐角处，沉积速率最高，侧壁适中，底角最低。 可采用带准直器的溅射淀积方法（