第一章半导体物理基础(二).pptVIP

* 1.2.5半导体的结 * P 区 NA N 区 ND 半导体的结-PN 结 PN 结是构成各种半导体器件的基本单元。 PN结中的载流子既有漂移运动，又有扩散运动； 既有产生，又有复合，这些性质集中反映在半导体 的导电特性中。 * P N PN结 1、PN 结的形成 在同一块N型（或P型）半导体单晶上，用特定 的工艺方法把P型（或N型）杂质掺入其中，使这块 单晶相连的二个不同区域分别具有N型区和P型区的 导电类型，在二者交界面以及交界面两侧的过渡区 即称为PN结。 * PN 结类型 按材料分为同质结，和异质结 按导电类型分为同型结和异型结 按杂质的分布分为突变结和线性缓变结 * 工艺方法 合金法 扩散法 生长法 离子注入法 光刻工艺(硅平面工艺） 2 、 PN结的形成过程 * 合金法制造PN结过程 熔融 P-Si Al N-Si 在一块N型硅片上放置一铝箔，铝箔上加一石墨压块， 并置于600℃以上的烧结炉中恒温处理5分钟，然后缓慢降温经这样的处理后的硅片的上表面就形成可很薄的一层P型再结晶层，PN结形成了。 突变结 P区与N区的交界面处的杂质浓度分布是突变的，此法称为合金结，又称突变结。 * P区 N区 x 杂质浓度 xj NA ND