第5章离子注入.pptVIP

1 　　六、工作室（靶室） 　　放置样品的地方，其位置可调。 　　七、离子束电流的测量 Scanning disk with wafers Scanning direction Faraday cup Suppressor aperture Current integrator Sampling slit in disk Ion beam 离子注入机的种类 离子注入过程：入射离子与半导体（称为靶）的原子核和电子不断发生碰撞，其方向改变，能量减少，经过一段曲折路径的运动后，因动能耗尽而停止在靶中的某处。 5.2 平均投影射程 射程：离子从入射点到静止点所通过的总路程 平均射程：射程的平均值，记为 R 投影射程：射程在入射方向上的投影长度，记为 xp 平均投影射程：投影射程的平均值，记为 RP 投影射程的标准偏差： 平均投影射程与初始能量的关系 由此可得平均投影射程为 入射离子能量损失的原因是受到 核阻挡 与 电子阻挡。 核阻挡本领 电子阻挡本领 一个入射离子在 dx 射程内，由于与核及电子碰撞而失去的总能量为