先进半导体电子材料.ppt

5.4 化合物半导体材料 化合物 晶体结构 带隙 ni un up GaAs 闪锌矿 1.42 1.3×106 8500 320 GaP 闪锌矿 2.27 150 120 GaN 纤锌矿 3.4 900 10 InAs 闪锌矿 0.35 8.1×1014 3300 450 InP 闪锌矿 1.35 6.9×107 5400 150 InN 纤锌矿 2.05 4400 AlN 纤锌矿 6.24 300 14 * 5.5 金刚石 金刚石也是一种重要的宽带隙半导体材料，与SiC、GaN一样，作为大功率半导体材料日益受到重视。已经采用金刚石薄膜研制成功肖特基势垒二极管和MESFET ，其主要性能为： 最小欧姆接触电阻10-7Ω/CM2; 最大整流比（肖特基二极管）为107; 最大击穿场强3×106 V/cm/ MESFET 最大跨导0.22mS/mm, 漏电流nA级； 最大工作温度350℃，最高工作电压100V。 * 天然金刚石稀少而昂贵，人工合成金刚石晶体颗粒小，一般制作金刚石器件是采用CVD金刚石薄膜。 金刚石器件研制需解决以下问题： 难以制出pn结，因为不易进行有效的n型掺杂，而难以制得n型低阴材料，这就限制了它的应用； 目前惟一可用的p型掺杂剂B，受主离化能较大（370 meV），即使在高温下也不能完全激活（室温激活率仅10%）；因此，所制MESFET跨导低，漏极电流小，因而限制了器件的性能。 * 表面并入氢的p型金刚石薄膜可提高肖特基二极管及MESFEF的性能；如MESFET的功率密度可达20 W/mm 目前，金刚石有源器件主要是肖特基整流二极管和MESFET 金刚石还可用于电阻器和电容器等无源器件，所制电阻器的优点是：①焦耳热可快速耗散（热导率高）；②抗热冲击和抗机械冲击性强，耐化学腐蚀；③失效功率大，为一般氧化钌电阻的10倍 还制出了金刚石薄膜电 容器，其厚度≤1μm, 击穿电压20MV/cm3 * 不同类型的IC、集成度和加工工艺要求采用相应类型的 材料及要求不同的加工深度和电学参数 一般MOS电路多用直拉（CZ）抛光片（PW） 对高集成度MOS或CMOS电路，为削除软失效（Soft error） 和闩锁（latch-up）效应，多使用外延片（EPW） 5.2.2集成电路（IC）对Si材料的基本要求 * 5.2.3 多晶硅的优点 多晶硅具有接近单晶硅材料的载流子迁移率和象非晶硅那样进行大面积低成本制备的优点 重掺杂的多晶硅薄膜作为电容器的极板、浮栅、电极等 轻掺杂的多晶硅薄膜常用于MOS存储器的负载电阻和其他电阻器 * 多晶硅薄膜由于具有比非晶硅TFT更高的载流子迁移率、更快的开关速度、更高的电流驱动能力、可与CMOS工艺兼容等特点 * 5.2.4 非晶硅的优点 非晶硅薄膜是器件和电路加工所用表面钝化膜材料之一 对活性半导体表面进行钝化对提供器件性能、增强器件和电路的稳定性、可靠性；提高其封装成品率等有重要作用 * 非晶硅钝化机理和特点 非晶硅Si:H膜致密性好，对水气和碱金属离子等有很好的掩蔽作用 非晶硅Si:H薄膜中含大量的原子氢，它能直接填补器件的缺陷能级和断键 非晶硅Si:H带隙中同时具有受主型和施主型局域能带，具有俘获正负离子的双重作用 * 非晶硅Si:H本身是电中性的，遇到电场干扰或者正负离子污染时，在表面感应电荷，起到屏蔽作用 非晶硅Si:H膜与单晶硅的晶体结构和热膨胀行为接近，用非晶硅Si:H钝化后的器件界面力学性能稳定，没有内应力 * 5.3 硅基材料5.3.1 SiGe/Si固溶体 能带工程－－－固溶体 异质结－－－基极材料和发射极材料 HBT－－异质结双结晶体管 FET－－场效应晶体管 TFT－－薄膜晶体管 CMOS－－金属/氧化物/半导体晶体管 *  年 份 事件 1975年 1987年 1990年 1992年 1993年 1994年 1996年 1997年 2001年 2002年 首次生长出SiGe/Si应变层 研究出第一个SiGeHBT 研制出高性能SiGeHBT和ECL(射极耦合逻辑)环形振振荡器 首次发表SiGe HBT Bi CMOS工艺 制出SiGeHBT大规模IC(LSI)，峰值fT100 GHz的SiGeHBT 在直径200 mm Si片上制取SiGeHBT 制出大功率SiGeHBT 制出时延在10 Ps以下的SiGeHBT ECL电路 制出峰值fT200 GHz的SiGeH