ZnO基pn结和其紫外发光性能的研究.pptVIP

ZnO基pn结和其紫外发光性能的研究;目 录;ZnO材料简介，特点和用途;ZnO 同质p-n结研究的几个方面之比较 ;目前国外通行的 p-ZnO 和ZnO 同质p-n结的制备方法;2. 研究内容;氧空位，间隙锌，以及间隙锌的能级位置及其作用;ZnO薄膜中的氧空位，间隙锌以及反位锌对生成 p型ZnO的影响 氧化锌薄膜中的氧空位和间隙锌是施主的来源，后者可通过500oC退火将其转移到锌的格位上，Xiong等人报道了一个简单的方法，即通过在直流溅射中增加氧的方法去除氧空位，当反应室中氧气比例超过55％，可得到p-ZnO，且空穴浓度与氧的百分比成正比。 我们按他的方法做，不成功。原因是他模糊了两个关键参数：溅射功率和溅射速率。只有当溅射功率和溅射速率处于某一范围时方可有效地去除氧空位和增加反位锌，得到p-ZnO : p型成品率约为40％。 我们将上述方法移植到射频溅射中，取得了大于80％的p型成品率。因为射频溅射可高效地分解氧分子，并将离解的氧原子输送到薄膜中氧的格位上。; 1）速率过慢，靶被氧化，生成髙阻ZnO; 2）速率较慢，虽去除了氧空位，但也不利于生 成受主反位锌； 3）速率过快，达不到使薄膜富氧的效果。 掌握 溅射功率的物理意义分析： 1）功率较小，不能有效地将氧分子离解为原子； 不能达到有效的溅射粒子动能； 2）功率过大，使锌靶很快地蒸发，造成生长锌 膜和破坏设备。;p 型和n型ZnO薄膜的光学和结构特性;不同衬底材料的比较;Si作为衬底的优越性和需要注意的问题;硅衬底上ZnO薄膜的制备及其结构特性1. 溅射法制备p 型和n型ZnO薄膜; 3)生长温度以及速率的控制： 采用两步生长法：先用低温慢速率（200oC，0.5? /s） 生长200 ?左右的过渡层；再采用一般速率（~300oC， ~1? /s）生长0.5μ – 1.0μ的ZnO（对生长速率的特别的 要求：一般不要太慢太快，否则不能反型。），再置于 700oC、空气气氛中作20分钟的退火。 ;4)具有p-i-n夹层结构的 ZnO 同质p-n 结的制备：（其中SiO2层采用SiO2粉末吧、射频溅射制备而成，上下电极为ITO薄膜材料或Al 合金）;5) ZnO 薄膜的结构特性：;6) ZnO 薄膜的 光学特性???;ZnO同质p-n 结的电学输运特性及其与日美同类器件的比较 ;热处理温度和方式对ZnO薄膜 和ZnO p-n 结质量的影响 ;ZnO样品的退火温度和薄膜颜色的变化Annealing condition and variation of sample colour of ZnO films;光学跃迁：不同温度退火后的ZnO薄膜的阴极射线光谱（CL） ;350; 由图可见，各个样品都存在着“紫峰”和“绿峰”两个发射带，但随退火条件的不同，两个发射带的峰值强度和峰位有很大的变化，同时峰的半高宽也产生了相应的变化: 原生: 380nm, 弱 ; 510nm, 强 600oC: 387nm, 稍强; 515nm,稍弱 800oC: 400nm,很强;520nm，弱 950oC: 390nm,弱;525nm，强 原生—800oC样品紫峰的变化: 峰位红移,峰强迅速增加(是由于退火导致ZnO薄膜晶体质量的改善，从而使得激子的发光机制发生改变所致:由自由激子到EHP发射) 950oC样品:紫峰峰强急剧下降;绿峰峰位的变化:由505nm红移至525nm, 同时谱带的宽度变窄 . AFM图像(下页)所显示的结果 :即随着退火温度的升高，薄膜的表面形貌发生由六角向四角晶相的相变，这种相变是不彻底的，包含着六角和四角两种相。随着退火温度的升高，四角相有增加的趋势，这有可能是硅锌化物的产生而导致的;(c) ;ZnO , Zn2SiO4微晶粉末(4N)的CL发射谱的比较:(1)绿峰的位置和宽度不一，(2)纯ZnO的紫外峰较窄，可能有新的化合物产生。;ZnO(800OC, 1小时退火)薄膜的光谱解析： 390nm:ZnO的紫 外激光 453nm:未知蓝色 荧光 525nm:硅酸锌的 绿色荧光;进一步证实掠入射X射线衍射(GXRD);进一步证实：阴极射线光谱;二次离子质谱: ZnO / Si 系统中各元素沿深度的分布。图(a)是在400 OC生长1小时后的情形。薄膜厚度为1.5微米，但只有在近表面0.6微米厚维持Zn和O的平衡。;二次离子质谱: 图(b)是图(a)所示样品在800oC又退火1小时后的情形。薄膜厚