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场效应管专题知识宣讲; 场效应半导体三极管是仅由一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。 ; N沟道增强型MOS管的结构示意图和符号见图 02.13。其中：D ( Drain )为漏极，相当于集电极C；G ( Gate )为栅极，相当于基极B ; S ( Source ) 为源极，相当于发射极E。; 一个是漏极D，一个是源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为衬底，用符号B表示。; 当栅极加有电压时，若0＜VGS＜VGS(th)时，通过栅极和 衬底间的电容作用，将靠近栅极 下方的 P 型半导体中的空穴向下 方排斥，出现了一薄层负离子的 耗尽层。耗尽层中的少子将向表 层运动，但数量有限，不足以形 成沟道，将漏极和源极沟通，所 以不可能以形成漏极电流ID。; VGS对漏极电流的控制关系可用：ID=f(VGS)?VDS=const 这一曲线描述，称为转移特性曲线，见图02.14。;图02.14 VGS对漏极电流的控制特性——转移特性曲线; 2．漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用; 当VDS为0或较小时，相当VGS＞VGS(th)，沟道分布 如图02.15(a)，此时VDS 基本均匀降落在沟道中，沟道 呈斜线分布。;图02.16 漏极输出特性曲线; (2)N沟道耗尽型MOSFET; (a) 结构示意图 (b) 转移特性曲线 图02.17 N沟道耗尽型MOSFET的结构和转移特性曲线; (3)P沟道耗尽型MOSFET; 2.2.2伏安特性曲线; 图02.18 各类场效应三极管的特性曲线;绝缘栅场效应管;结型场效应管;2.2.3 结型场效应三极管; (2) 结型场效应三极管的工作原理; ① 栅源电压对沟道的控制作用; ② 漏源电压对沟道的控制作用; (3)结型场效应三极管的特性曲线;(a) 漏极输出特性曲线 (b) 转移特性曲线 图02.22 N沟道结型场效应三极管的特性曲线 动画（2-6） 动画（2-7）;2.2.4 场效应三极管的参数和型号; ④ 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109～1015Ω。 ; (2) 场效应三极管的型号;几种常用的场效应三极管的主要参数见表02.02。;半导体三极管(场效应管）图片;半导体三极管图片;; 双极型三极管 场效应三极管 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小，可有零温度系数点 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模 集成