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13电科学长学姐祝学弟学妹们旗开得胜 好好学习天天向上 壮哉我大电科 PAGE PAGE 1 MOSFET 金属氧化物半导体场效应管 （metal-oxide-semiconductor field-effect transistor.MOSFET） 一二类半导体区分?： 第一类：元素半导体：单一院子所组成的元素半导体，如硅（Si）、锗（Ge） 第二类：化合物半导体：由周期表中的两种元素或多种元素组成，如砷化镓（GaAs） 费米能级 费米能级是电子占据率为1/2时的能级能量。 n型半导体（如单硅半导体掺杂施主As）的费米能级大于p型半导体(如单硅半导体掺杂受主硼)的费米能级。 本征半导体： T=300k本征时 Si GaAs 导带的有效态密度 价带的有效态密度 本征载流子浓度 禁带宽度 1.12eV 1.4eV 非本征半导体：（完全电离） 受主施主共存： （电中性） 直接间接带隙 直接带隙：导带底的电子相对于价带顶的空穴只有能量的跃迁没有非零的晶格动量（砷化镓） 间接带隙：导带底的电子相对于价带顶的空穴有非零的晶格动量（硅） 迁移率的影响因素 迁移率：描述外加电场影响电子运动的强度。迁移率与碰撞间的平均自由时间直接相关，而平均自由时间则取决于各种散射机制。其中最重要的两个机制为晶格散射以及杂质散射。 对低浓度的样品（如杂质浓度为），晶格散射为主导机制，迁移率随温度的增加而减少。 对高杂质浓度的样品（如杂质浓度为），杂质散射的效应在低温下最为显著，迁移率随温度的增加而增加。 给定温度下，迁移率随着杂质浓度的增加而减少，这是由于杂质散射增加所致。 漂移电流： 在外加电场作用下载流子的输运会产生电流，称为漂移电流 霍尔效应 在半导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得半导体中的电子与 HYPERLINK 空穴受到不同方向的 HYPERLINK 洛伦兹力而在不同方向上聚集，在聚集起来的电子与空穴之间会产生电场，电场强度与洛伦兹力产生平衡之后，不再聚集，此时电场将会使后来的电子和空穴受到电场力的作用而平衡掉磁场对其产生的洛伦兹力，使得后来的电子和空穴能顺利通过不会偏移，这个现象称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。 扩散电流 在外加电场的作用下若载流子的浓度有一个空间上的变化，载流子倾向于从高浓度的区域移往低浓度的区域的电流分量称为扩散电流 复合 直接复合：亦称为带间复合，通常在直接带隙半导体中主导，如砷化镓 间接复合：通过禁带复合中心的间接复合则在间接带隙的半导体中主导，如硅。 表面复合：（随便看看就好） 增加复合效率的方法：掺杂深能级的施主受主来增加复合效率。 扩散电容 当结处于正向偏压时，中性区储存电荷的重排会对结电容产生一个显著的附加电容，称为扩散电容。 势垒电容 在积累空间电荷的势垒区，当PN结外加电压变化时，引起积累在势垒区的空间电荷的变化，即耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少，这种现象与电容器的充、放电过程相同。耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容。 P-N结 同质结：将p型半导体与n型半导体冶金型接触形成的结。 异质结：由两种不同半导体所形成的结。 在外加偏压作用下：正向偏压 p-n结W变窄 方向偏压 p-n结W变宽。 p-n结击穿：分为软击穿和热击穿 。 软击穿：齐纳击穿（隧穿）和雪崩击穿。 齐纳击穿（隧穿）：当一反向强电场加在p-n结时，价电子由价带跃迁到导带的电子穿过禁带的过程。 雪崩击穿：材料掺杂浓度较低的 HYPERLINK p-n结中，当p-n结 HYPERLINK 反向电压增加时， HYPERLINK 空间电荷区中的 HYPERLINK 电场随着增强。这样通过空间电荷区的电子和 HYPERLINK 空穴，就会在电场作用下，使获得的能量增大。在晶体中运行的 HYPERLINK 电子和空穴将不断的与晶体原子发生碰撞，通过这样的碰撞可使束缚在 HYPERLINK 共价键中的 HYPERLINK 价电子碰撞出来，产生 HYPERLINK 自由电子-空穴对。新产生的 HYPERLINK 载流子在电场作用下撞出其他价电子，又产生新的自由电子和空穴对。如此连锁反应，使得 HYPERLINK 阻挡层中的载流子的数量 HYPERLINK 雪崩式地增加，流过p-n结的电流就急剧增大击穿p-n结，这种碰撞电离导致击穿称为雪崩击穿。 热击穿：热击穿为固体电介质击穿的一种形式。击穿电压随温度和电压作用时间的延长而迅速下降,这时的击穿过程与电介质中的热过程有关,称为热击穿。热击穿的本质是处于电场中的介质，由于其中的介质损耗而产生热量，就是电势能转换为热