第3章半导体二极管及其基本应用电路.pptVIP

漂移和扩散 (1)、电子或空穴在电场的作用下定向移动称为漂移 如图（A）所示。 (2)、载流子由浓度高流向浓度低的的运动为扩散。图（B）所示 PN结形成 半导体PN结共价键中的电子在光子的轰击下。很容易脱离共价键而成为自由电子。因此可以用PN结构成光敏二极管。光敏二极管的反向电流与光照度成正比。用感光灵敏度来衡量。典型值为：0.1μA/Lx 1、材料和结构：发光二极管由砷化镓、磷化镓等半导体材料组成。由于电子空穴的复合产生发光能量。是一种电变成光的能量转换器件。电路中常用做指示或显示及光信息传送。 2、发光二极管的主要特性 （3）.折线模型 为了较真实地描述二极管V-I特性，在恒压降模型的基础上，作一定的修正，即认为二极管的管压降不是恒定的，而是随着通过二极管电流的增加而增加，所以在模型中用一个电池和一个电阻rD来作进一步的近似。这个电池的电压选定为二极管的门坎电压Von，约为0.5V。至于rD的值，可以这样来确定，即当二极管的导通电流为1mA时，管压降为0.7V，于是rD的值可计算如下 （4）.小信号模型 二极管在一定的直流电压和电流下,加入低频小信号时,可等效为一个动态电阻。 二极管小信号模型如图所示。 如果二极管在它的V-I特性的某一小范围工作，例如在静态工作点Q（即V-I特性上的一个点，此时vD=VD，iD=ID）附近工作，则可把V-I特性看成为一条直线，其斜率的倒数就是所要求的小信号模型的微变电阻rd。 微变电阻rd可直接从V-I特性上求得。通过Q点作一条V-I特性的切线，并形成一直角三角形，从而得到Δ vD和Δ iD，则 rd=ΔvD/ Δ iD，rd的数值还可从二极管的V-I特性表达式导出。 取iD对vD的微分，可得微变电导 (当T=300K时) 由此可得 2、几种模型分析法应用举例 例1 设简单二极管基本电路如a所示，R=10kW，图b是它的习惯画法。对于下列两种情况，求电路的ID和VD的值：（1）VDD=10V；（2）VDD=1V。在每种情况下，应用理想模型、恒压降模型和折线模型求解。 解：图a的电路中，虚线左边为线性部分，右边为非线性部分。符号“⊥”为电位参考点，或叫“地”，即电路的共同端点。电路中任一点的电位，都是对此共同端而言。为了简单起见，图a所示的电路常采用图b所示的习惯画法，今后经常用到。现按题意，分别求解如下： （1）VDD=10V ① 使用理想模型得 VD=0V，ID=VDD/R=10V/10kW=1mA ② 使用恒压降模型得：VD=0.7V， ③ 使用折线模型得： (2) VDD=1V ① 使用理想模型得：VD=0V， ID= VDD/R=0.1mA ② 使用恒压降模型得：VD=0.7V， ID= （VDD－0.7）/R=0.03mA ③ 使用折线模型得 ID=0.049mA，VD=0.51V 例2：已知电路，二极管导通电压UD=0.7V，UT=26mV,ui为有效值20mV，频率f=1kHZ有正弦波，则输入交流电流的有效值约为多少？ 解：求动态电阻。先求静点Q的直流电流 求交流电流。（直流为零） 基本应用电路 1.整流电路 整流电路是最基本的将交流转换为直流的电路， 半波整流 e2 E2m iD 整流电路中的二极管是作为开关运用，具有单向导电性。 ~220V e2 iD uL Udc≈0.45U2 uL 全波整流 ~220V uL io RL e2’ e2 - + - + e2 uL Udc≈0.9U2 2.二极管电路的限幅电路 3.二极管开关电路 一二极管开关电路如图所示。当vI1和vI2为0V或5V时，求vI1和vI2的值不同组合情况下，输出电压vO的值。设二极管是理想的。 4.集成运放输入端保护电路 3.3 特殊二极管 一、稳压二极管 应用在反向击穿区 （雪崩击穿和齐纳击穿） （一）符号、伏安特性 和典型应用电路 (a) (a)符号 1、 利用PN结反向击穿的特性，可以制成稳压二极管。 I（mA) 正向电流If U（V） 正向 0.6 反向击穿电压 UZ 正向导通电压 UD 0 击穿电流IR PN结V-A特性 曲线 I U 电路符号 (b) (b) 伏安特性 (c)应用电路 RL 稳压原理： （1）UI变化，负载不变 UI上升 UO上升 Uz上升 Iz上升 IR=Iz+IL上升 UR=IRR上升 UO下降 （2）输入不变，负载波动 RL下降 IL（IR）上升 UO下降（Uz） Iz下降 IR=Iz+IL下降 UR=IRR下降 UO上升 3、限幅电路 2、限流电阻取值 1）、稳定电压UZ：稳压管击穿后电流变化很大。而电压基本不变的电压。不同的稳压管有不同的稳定电压。 2）、动态电阻rz 3）、最大稳定电