1-常用半导体器件.pptVIP

作业：1.3 1.4 1.6 思考（自测题）： 三，四 根据特性曲线，判断是哪种类型场效应晶体管 判断以下电路中管子的工作区域 * * * * * 1、N沟道增强型MOSFET （1）结构 三端器件（三极） B：衬底（基体）（P型半导体） S：源极→E（发射极） （N+型半导体） D：漏极→C（集电极） （N+型半导体） G：栅极→B（基极） 通常，S和B连接在一起。 沟道长度L：0.5μm的MOSFET就是指它的沟道长度为0.5 μm 。 沟道宽度W：W/L较大，则电压增益也较大。W为L的1000倍是常见的。 （2）工作原理 uGS增大到一定值（开启电压UGS(th) ）时，形成导电沟道。 uGS增大，反型层（导电沟道）将变厚，沟道电阻减小。 反型层（沟道） 大到一定值才开启 Ⅰ、uGS＝0时，漏源之间无电流。 Ⅱ、uGS0时，uDS=0。 因为沟道只有在栅极与源极之间施加一定电场后（uGS≥UGS(th)）才形成，所以这种场效应管称为增强型MOSFET。 栅极与源极电压越大，沟道越厚，形成的漏源电流就越大（uGS控制电流） 。 因为栅极通过氧化物或绝缘体与沟道隔离，所以栅极与源极之间没有电流（RGS=∞，iGS＝0，iD=iS）。 综上所述，场效应管是利用栅极与源极之间的电压控制漏源电流的元件。 Ⅲ、uDS对iD的影响（ uGS ≥UGS(th)且不变时 ） 用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么？ iD随uDS的增大而线性增大的区域称可变电阻区。但靠近漏极的沟道厚度会逐渐变窄。 uGD＝UGS（th）,预夹断 iD几乎不变，仅受控于uGS，称为恒流区。 刚出现夹断 uDS的增大几乎全部用来克服夹断区的电阻 UGS（th） （3）特性曲线 Ⅰ、输出特性曲线 夹断区:uGSUGS(th) 可变电阻区： uGSUGS(th)，uDSuGS-UGS(th) 恒流区： uGSUGS(th)，uDSuGS-UGS(th) 预夹断轨迹:uDS＝uGS-UGS（th） 注意与BJT管三个区域特性的比较 Ⅱ、转移特性曲线 场效应管工作在恒流区，因而uGS＞UGS（th）且uGD＜UGS（th）。 开启电压 低频跨导： gm用来衡量FET的放大能力，是FET的特征参数，具有电导的量纲。 例1.4.2 电路及FET的输出特性曲线如图所示，分析uI为0V、8V和10V时uO分别为多少？ N沟道增强型MOS管，开启电压为4V。 0V：夹断区 8V：恒流区 10V：可变电阻区 2.N沟导耗尽型MOS管 耗尽型MOS管在 uGS＞0、 uGS ＜0、 uGS ＝0时均可导通。由于SiO2绝缘层的存在，在uGS＞0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。 加正离子 小到一定值才夹断UGS(off)0 uGS=0时就存在导电沟道 三个区域的偏置条件与N沟道增强型MOS管一样 MOS管的特性（N沟道） 1)增强型MOS管 2)耗尽型MOS管 开启电压 夹断电压 3. P沟道增强型场效应管 空穴导电（N型衬底，两个P+区） 开启电压UGS（th）0 uGS0 uDS0 夹断区：uGS UGS（th） 恒流区： uDSuGS-UGS(th) uGSuGS（th） 漏极电流表达式与N沟道增强型一样，只不过，电流为负。 4. P沟道耗尽型场效应管 空穴导电（N型衬底，两个P+区） 夹断电压UGS（off）0 uGS可正，可负，可为0。 uDS0 夹断区：uGS UGS（off） 恒流区： uDSuGS-UGS(off) uGSUGS（off） 漏极电流表达式与P沟道增强型一样，只不过，电流为负。 N沟道增强型 N沟道耗尽型 P沟道增强型 P沟道耗尽型 二. N沟道结型场效应管 符号 结构示意图 栅极 漏极 源极 导电沟道 只有PN 结反偏，即uGS0时，才有可能减小沟道宽度到夹断。 1.栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用 沟道最宽 沟道变窄 沟道消失称为夹断 uGS可以控制导电沟道的宽度。为什么g-s必须加负电压？ uGS≤UGS（off） 2.漏-源电压对漏极电流的影响 uGS＞UGS（off）且不变，VDD增大，iD线性增大。 预夹断 uGD＝UGS（off） VDD的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于uGS。 场效应管工作在恒流区的条件是什么？ uGDUGS（off） uGDUGS（off） 可变电阻区 夹断电压 漏极饱和电流 3.转移特性 场效