第3章 多层次的存储器.ppt

第三章 多层次的存储器 几个概念： 1、存储位元：存储一位（bit）二进制代码的存储元件称为基本存储单元（或存储位元） 2、存储单元：主存中最小可编址的单位，是ＣＰＵ对主存可访问操作的最小单位；每个由若干个存储位元组成。 3、存储器：多个存储单元按一定规则组成一个整体。 高速缓冲存储器简称cache，它是计算机系统中的一个高速小容量半导体存储器。 主存储器简称主存，是计算机系统的主要存储器，用来存放计算机运行期间的大量程序和数据。 外存储器简称外存，它是大容量辅助存储器。 补充： 正逻辑体制：高电平VH用逻辑“1”表示，低电平VL用逻辑“0”来表示，这种逻辑体制称为正逻辑体制。 负逻辑体制：高电平VH用逻辑“0”表示，低电平VL用逻辑“1”来表示，这种逻辑体制称为负逻辑体制。 每种逻辑门用不同的逻辑体制来描述其逻辑功能是不同的，即每种逻辑门都有两种等效逻辑符号，两种逻辑符号可以进行等效。 两种逻辑符号等效变换规则：1）只要在一种逻辑符号的所有输入、输出端同时加上或者去掉小圈（当一根线上有两个小圈，相当于两次取反，则无需画圈）2）将原来的符号互换（与←→或、同或←→异或）即可。 由此可得到：正与 = 负或 ? 正与非 = 负或非 ??????????? 正或 = 负与 ? 正或非 = 负与非 DRAM存储器的存储位元是由一个MOS晶体管和电容器组成的记忆电路，其中MOS管作为开关使用，而所存储的信息1或0则是有电容器上的电荷量来体现，即当电容器充满电荷时表示存储1，当电容器放完电没有电荷时，表示存储0。 补充：三态门简介 补充：三态门简介 补充：MOS管简介 MOS管是一种由金属、氧化物和半导体组成的场效应管，其符号下图所示，其中G为栅极，S为源极，D为漏极。当W（连接栅极）为高电位时，MOS管导通，R点（连接漏极D）与VCC（连接源极S）同电位。 1、读/写周期 读周期、写周期的定义是从行选通信号RAS下降沿开始，到下一个RAS信号的下降沿为止的时间，也就是连续两个读周期的时间间隔。通常为控制方便，读周期和写周期时间相等。 2、刷新周期 刷新周期：DRAM存储位元是基于电容器上的电荷量存储，这个电荷量随着时间和温度而减少，因此必须定期地刷新，以保持它们原来记忆的正确信息。 刷新操作有两种刷新方式： 集中式刷新:DRAM的所有行在每一个刷新周期中都被刷新。 分散式刷新:每一行的刷新插入到正常的读/写周期之中。 集中式刷新： 例如刷新周期为8ms的内存来说，所有行的集中式刷新必须每隔8ms进行一次。为此将8ms时间分为两部分：前一段时间进行正常的读/写操作，后一段时间（8ms至正常读/写周期时间）做为集中刷新操作时间。 分散式刷新： 例如p70图3.7所示的DRAM有1024行，如果刷新周期为8ms，则每一行必须每隔8ms÷1024=7.8us进行一次。 1、字长位数扩展 给定的芯片字长位数较短，不满足设计要求的存储器字长，此时需要用多片给定芯片扩展字长位数。三组信号线中，地址线和控制线公用而数据线单独分开连接。 图3.9 SRAM字长位数扩展 2、字存储容量扩展 给定的芯片存储容量较小（字数少），不满足设计要求的总存储容量，此时需要用多片给定芯片来扩展字数。三组信号组中给定芯片的地址总线和数据总线公用，控制总线中R/W公用，使能端EN不能公用，它由地址总线的高位段译码来决定片选信号。所需芯片数仍由（d=设计要求的存储器容量/选择芯片存储器容量）决定。 3、存储器模块条 存储器通常以插槽用模块条形式供应市场。这种模块条常称为内存条，它们是在一个条状形的小印制电路板上，用一定数量的存储器芯片，组成一个存储容量固定的存储模块。如图所示。 内存条有30脚、72脚、100脚、144脚、168脚等多种形式。 30脚内存条设计成8位数据线，存储容量从256KB～32MB。 72脚内存条设计成32位数据总线 100脚以上内存条既用于32位数据总线又用于64位数据总线，存储容量从4MB～512MB。 ROM叫做只读存储器。顾名思义，只读的意思是在它工作时只能读出，不能写入。然而其中存储的原始数据，必须在它工作以前写入。只读存储器由于工作可靠，保密性强，在计算机系统中得到广泛的应用。主要有两类： 掩模ROM：掩模ROM实际上是一个存储内容固定的ROM，由生产厂家提供产品。 可编程ROM：用户后写入内容，有些可以多次写入。 一次性编程的PROM 多次编程的EPROM和EEPROM。 1、掩模ROM(1) 掩模ROM的阵列结构和存储元 (2) 掩膜ROM的逻辑符号和内部逻辑框图 2、可编程ROM （1） EPRO