第二章 载流子输运现象.pptVIP

第二章 载流子输运现象 本章学习要点： 了解载流子漂移运动的机理以及在外电场作用下的漂移电流； 了解载流子扩散运动的机理以及由于载流子浓度梯度而引起的扩散电流； 了解连续性方程以及其中所含的产生与复合成分。 了解并掌握半导体材料中霍尔效应的基本原理及其分析方法； 输运：载流子的净流动过程称为输运。 两种基本输运体制：漂移运动、扩散运动。 载流子的输运现象是最终确定半导体器件电流-电压特性的基础。 假设：虽然输运过程中有电子和空穴的净流动，但是热平衡状态不会受到干扰。 涵义：n、p、EF的关系没有变化。（输运过程中特定位置的载流子浓度不发生变化） 热运动的速度远远超过漂移或扩散速度。（平均的统计的效果） §2.1 载流子的漂移运动 漂移电流密度：载流子在外加电场作用下的定向运动称为漂移运动，由载流子的漂移运动所形成的电流称为漂移电流。 欧姆定律： 电流密度： 对于一段长为l，截面面积为s，电阻率为ρ的均匀导体，若施加以电压V，则导体内建立均匀电场E，电场强度大小为： 对于这一均匀导体，有电流密度： 漂移电流密度 半导体中电子和空穴的运动 半导体中电子的热运动 散射：在实际晶体中，存在各种晶格缺陷，晶格本身也不断进行着热振动，它们使实际晶格势场偏离理想的周期势，这相当于在严格的周期势场上叠加了附加的势场。这个附加的势场作用于载流子，将改变载流子的运动状态，即