单层二氧化铪(hfo2)薄膜的特性研究.pdf

第39卷第2期 光电工程 v01．39．No．2 2 20】2年2月 E力gineering Feb，201 0pto-ElectrDnic 文章编号：1003—50lx(2012)02—0134一07 单层二氧化铪(Hf02)薄膜的特性研究 艾万君1一，熊胜明1 (1．中国科学院光电技术研究所，成都610209；， j 2．中国科学院研究生院，北京100049) 摘要：利用电子束蒸发、离子束辅助沉积和离子束反应溅射三种制备方法制备了单层Hf02薄膜，对薄膜样品的 晶体结构、光学特性、表面形貌以及吸收特性进行了研究。实验结果表明，薄膜特性与制备工艺有着密切的关系。 电子束蒸发和离子束反应溅射制备的薄膜为非晶结构，而离子束辅助制备的薄膜为多晶结构。电子束蒸发制备的 薄膜折射率较低，薄膜比较疏松，表面粗糙度较小，吸收相对较小，而离子束辅助以及离子束反应溅射制备的薄 膜折射率较高，薄膜的结构比较致密，但表面粗糙度较大，吸收相对较大．不同制备工艺条件下薄膜的光学能隙 范围为5．30一5．43eV，对应的吸收边的范围为228．4—234。0nm． 关键词：电子束蒸发；离子柬辅助沉积；离子柬反应溅射；Hf02薄膜；薄膜特性 中图分类号：0484．4 文献标志码：A Characteristicsof ThinFiIms Hf02 SingleLayer AI Wan-junl，-，XIoNGSheng-min91 ’ nnd Elec咖nics，Chi舵seAcadenly可Science3，Cheng幽6、Q209，ChiM； (、．I凇ntllte可optics 2．G阳也口伦踟fvP船砂矿鳓跏黜P—c口幽缈矿＆蛔c锅曰叫f，曙lO0049，c^加口) Abstract： minfilmshavebeen Elec廿on Hf02 respectiVelyby B锄EV印orati∞(EBD)，Ion SingIelayer prepared Assisted IonBeamReactive s仰ct呲s，opticalprope^ies，汕face Deposition(IAD)蛐d Spun嘶ng(IBRS)．Crystal beens砌ied．1tjsfo岫dthatt量lillfilm haveaclo辩 ofthese films11aVe