SiC功率半导体器件的优势及发展前景.pdfVIP

SiC功率半导体器件的优势 及发展前景 中国科学院半导体研究所 刘忠立 自我介绍  1964.9毕业于清华大学半导体材料及器件专业  1980.10-1982.11德国多特蒙德大学访问学者  1990.8-1992.4德国HMI研究所客座教授  现任:  中科院半导体所研究员,博士生导师,创新 重大项目主任  国家传感技术开放实验室学术委员会员  中国电子学会核辐射专委会会员  中国电子学会半导体集成分会专委会会员  深亚微米CMOS集成电路抗辐射加固技术国家重大973项目 专家小组专家  中国国际工程咨询公司咨询专家  中科院军工监理部监理 报告内容 1. Si功率半导体器件的发展历程及限制 2. SiC功率半导体器件的优势 3. SiC功率半导体器件的发展前景 1. Si功率半导体器件的发展历程及限制 Si功率半导体器件的发展经历了如下三代: 第一代-Si双极晶体管(BJT )、晶闸管（SCR ）及其派生器件。 功率晶闸管用来实现大容量的电流控制，在低频相位控制领 域中已得到广泛应用。但是,由于这类器件的工作频率受到 dV/dt、di/dt的限制，目前主要用在对栅关断速度要求较低的 场合（在KHz范围）。 在较高的工作频率，一般采用功率双极结晶体管，但是对以 大功率为应用目标的BJT，即使采用达林顿结构，在正向导 通和强迫性栅关断过程中，电流增益β值一般也只能做到10， 结果器件需要相当大的基极驱动电流。此外，BJT的工作电 2 流密度也相对较低 （～50 A/cm ），器件的并联使用困难， 同时其安全工作区（SOA ）受到负阻引起的二次击穿的限制。 第二代-功率MOSFET。 MOSFET具有极高的输入阻抗，因此器件的栅控 电流极小（I ~100nA数量级）。MOSFET是多子器 G 件，因而可以在更高的频率下（100KHz以上）实 现开关工作，同时MOSFET具有比双极器件宽得多 的安全工作区。正是因为这些优点，使功率 MSOFET从80年代初期开始得到迅速发展，已形成 大量产品，并在实际中得到广泛的应用。 但是，功率MOSFET的导通电阻rON 以至于跨导gm 比双极器件以更快的速率随击穿电压增加而变坏,这 使它们在高压工作范围处于劣势。 第三代-绝缘栅双极晶体管(IGBT)。 它是一种包括MOSFET以及双极晶体管的复合功率 半导体器件,兼有功率MOSFET和双极晶体管的优点。 自1982年由美国GE公司提出以来，发展十分迅速。 商用的高压大电流IGBT器件仍在发展中，尽关德国 的EUPEC生产的6500V/600A高压大功率IGBT器件 已经获得实际应用,但其电压和电流容量还不能完全 满足电力电子应用技术发展的需求，特别是在高压 领域的许多应用中，要求器件的电压达到10KV以上, 目前只能通过IGBT串联等技术来实现。 如上所述, 尽管Si功率半导体器件经过半个世纪的 发展取得了令人瞩目的成绩,但是由于Si材料存在难 以克服的缺点,它们使Si功率半导体器件的发展受到 极大的限制。首先, Si的较低的临界击穿场强Ec,限 制了器件的最高工作电压以及导通电阻,受限制的导 通电阻使Si功率半导体器件的开关损耗难以达到理 想状态。Si较小的禁带宽度Eg及较低的热导率λ,限 制了器件的最高工作温度(~200ºC)及最大功率。为 了满足不断发展的电力电子工业的需求,以及更好地 适应节能节电的大政方针,仍然需要发展新半导体材 料的功率器件。 2. SiC功率半导体器件的优势 SiC是一种具有优异性能的第三代半导体材料, 与第一、二代半导体材料Si和GaAs相比， SiC材料及器件具有以下优势： 1) SiC的禁带宽度大 （是Si的3倍，GaAs的2 倍）, 本征温度高,由此SiC功率半导体器件的 工作温度可以高达600°C。 2) SiC的击穿场强高 （是Si的10倍, GaAs的7 倍）, SiC功率半导体器件的最高工作电压比