场效应管及其放大电路课件.ppt

场效应管及其放大电路;;场效应管是电压控制器件。 它具有输入阻抗高，噪声低的优点。;;;　场效应三极管（FET）;N沟道（相当于NPN）;;P 沟道场效应管;N沟道;;;;;; N沟道增强型MOSFET的工作原理;; N沟道增强型MOSFET的工作原理;MOS管的伏安特性用输出特性和转移特性描述;输出特性;0; 耗尽型NMOS管 ; 耗尽型NMOS管 ; 耗尽型MOS管 ;耗尽型MOS管 ; 场效应管与三极管的性能比较 ; 场效应管与三极管的性能比较 ;;P 沟道场效应管;MOSFET符号; 场效应管放大电路的三种组态;4.5 场效应管（FET）放大电路;ID;(1) 静态：适当的静态工作点，使场效应管工作在恒流区，场效应管的偏置电路相对简单。 ; 但由于两种放大器件各自的特点，故不能将双极性三极管放大电路的三极管简单地用场效应管取代，组成场效应管放大电路。; 由于场效应管种类较多，故采用的偏置电路，其电压极性必须考虑。;（1）自偏压电路;vGS;;vGS;;调整电阻的大小，可获得：;例 1 耗尽型 N 沟道 MOS 管，RG = 1 M?， RS = 2 k?，RD= 12 k? ，VDD = 20 V。 IDSS = 4 mA，UGS(off) = – 4 V，求 iD 和 uO 。;;解方程得：IDQ1 = 0.69 mA，UGSQ = – 2.5V (增根，舍去);（2）图解法--以自给偏压电路为例：;2）在iD ~ uGS坐标系中作负载转移特性;3）仍在iD~uGS坐标系中作源极负载线;4）确定Q点; 【例1】 电路如图所示, 场效应管为3DJG, 其输出特性曲线如图4 - 18所示。已知RD=2 kΩ, RS=1.2 kΩ,UDD=15V, 试用图解法确定该放大器的静态工作点。 ;解： 写出输出回路的电压电流方程, 即直流负载线方程;在输出特性图上将上述两点相连得直流负载线。  ; 在转移特性曲线上, 作出UGS=-IDRS的曲线。 由上式可看出它在uGS~iD坐标系中是一条直线, 找出两点即可。 ;【例】试计算下图的静态工作点。已知R1=50kΩ，R2=150kΩ，RG=1MΩ，RD=RS=10kΩ，RL=1MΩ，CS=100μF，UDD=20V，场效应管为3DJF，其Up=－5V，IDSS=1mA。;解：;4.5.2 场效应管的微变等效电路 ; 如果用id、ugs、uds分别表示iD、uGS、uDS的变化部分, 则上式可写为：;很大， 可忽略。;4.5.3共源组态基本放大电路;(1)直流分析;图03.30 微变等效电路;①电压放大倍数 如果??信号源内阻RS时 =－gmRLRi / (Ri +RS) 式中Ri是放大电路的输入电阻。;③输出电阻;;4.5.4 共漏组态基本放大电路;(2)交流分析;共漏放大电路的微变等效电路; ③输出电阻;;4.5.5 共栅组态基本放大电路; 图 03.36共栅组态放大电路 图 03.37 微变等效电路;;;;场效应管放大电路小结;例1： 场效应管的共源极放大电路;uo;;例2： 源极输出器;uo;ri;输出电阻 ro; 例3: 一个场效应管的输 出特性如图所示，试分析: (1)它是属于何种类型的 场效应管； (2)它的开启电压VT ( 或 夹断电压VP )大约是多 少？ (3)它的饱和漏极电流?DSS是多少?; 解：由场效应管输出特性可看出， (1)VGS在正负电压一定范围内变化时，有 ?D 输出，所以为N沟道耗尽型场效应管。 (2) VGS=-3V时， ?D=0, 所以VP= -3V。 (3) ?DSS≈6mA。;讨论： 根据特性曲线中，VGS=0时，iD不等于0， 而且，VGS可正可负，可以判断这个管子时耗尽型绝缘栅场效应管； 又根据VGS从负到正改变时，iD 相应地有小到大改变，可见它是 N 沟道。 夹断电压和饱和特性可直接从特性曲线上看出。; 例4: 增强型MOS管和耗尽型MOS管的主要区别 是什么 ?增强型的场效应管能否用自给偏压的 方法的静态工作点？ ; 答：增强型 MOS 管的导电沟道是在VGS 增大到开启电压VT 才接通，即有一定的栅源电压之后，才有漏极电流?d; 耗尽型 MOS管的导电沟道是在 VGS= 0时已经形成，极栅源电压为零时才有较大漏极电流?d,其VGS值可正可负。 增强